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公开(公告)号：CN110379903A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910693448.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体元器件的技术领域。提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层。本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。
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公开(公告)号：CN110379903B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910693448.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体元器件的技术领域。提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层。本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。
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公开(公告)号：CN110987880A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911323860.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光激发气敏传感器结构，包括：金属围坝支架、LED芯片、透镜、金属电极和光激发气敏材料；其中，所述金属围坝支架上设置有凹槽，所述LED芯片设置与所述凹槽内，所述LED芯片用于产生LED光源；所述透镜封装于所述金属围坝支架上，用于将所述LED芯片封装于所述金属围坝支架内；所述光激发气敏材料设置于所述透镜上，用于在接触到气体时生成电信号；所述光激发气敏材料与所述透镜之间设置有金属电极，所述金属电极将所述光激发气敏材料生成的电信号导出。由于将作为光源的LED芯片通过透镜进行封装，并将光激发气敏材料设置于透镜上，LED芯片设置于传感器内部，不单独占用空间，相比现有的外置光源，光敏检测系统的复杂性降低。
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公开(公告)号：CN110987879A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911323633.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光激发气敏传感器结构的制备方法，包括：制备获得金属围坝支架和LED芯片；制备获得与所述金属围坝支架上表面匹配的透镜；在所述透镜上表面制备金属电极，获得带金属电极的透镜；在所述带金属电极的透镜上表面制备光激发气敏材料，使光激发气敏材料与所述金属电极电连接；将带金属电极和光激发气敏材料的透镜的下表面与所述金属围坝支架粘接，以对所述LED芯片进行封装，获得气敏传感器结构。由于将作为光源的LED芯片通过透镜进行封装，并将光激发气敏材料设置于透镜上，LED芯片设置于传感器内部，不单独占用空间，相比现有的外置光源，光敏检测系统的复杂性降低。
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公开(公告)号：CN104330627B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410579798.X
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有源注入电流的电网谐振自动检测方法；针对电力系统存在非线性负载时的谐波污染，以及接有无功补偿电容器时容易产生谐振的问题，通过并联接入电网的有源电能质量调节装置补偿谐波，同时利用此电能质量调节装置向电网一次性注入特定波形的无功和谐波组合电流以自动检测电网谐振角频率及阻尼系数，对于单相系统注入180°方波电流，对于三相系统注入120°方波电流；本发明根据电网谐波电压、谐波电流及谐波功率的频谱特性，建立最优权值算法的谐振检测组合模型，可以快速、准确地判定电网谐振角频率及阻尼程度，为电网谐振的阻尼控制提供应用基础，进一步提高电力系统的电能质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102621062B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210045659.X
申请日：2012-02-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明公开了一种基于光电性能高通量筛选光催化剂的方法及其专用芯片。传统的光催化剂的评价是通过构建光催化反应器，来模拟有机物的降解过程。此方法耗时长，一次只能对一个样品进行测试，而且仅能获得材料的表观降解性能。本发明公开的方法涉及一个用于测试的高通量材料芯片，以及光、电、热、磁、气氛等多个可控外场。高通量的材料芯片保证了高的筛选效率，任意多个外场的组合可以进行光电流的时域测试，光电流频域测试，光霍尔测试，光激发气敏测试等等各种测试流程，来对光催化剂用半导体材料进行评价和筛选。该方法不但可以高通量的预测材料的光催化性能，还能获得丰富的材料的物理化学性能参数，在高性能且高太阳能利用率的新型光催化剂开发中有应用前景。
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公开(公告)号：CN101785971B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010142544.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于降解气相有机污染物的光电催化装置，该装置包括位于透明主腔体中且安插在组件插座上的一个或多个光电催化组件，低压供电模块通过导线与组件插座连接。光电催化组件由基板、叉指电极和光催化剂层构成，光催化剂层由单层或多层光催化剂薄膜构成。优化的电极结构使之可在很低的电压下发挥更大的光电协同效应，简单的层状结构易于扩展，无需额外电源，可以不受空间的限制。本发明具有结构简单，可扩展性强，适用领域广，且无需专门的电源供电，节省了能源。尤其是新型光电催化组件使半导体光催化剂材料内部的光生电子-空穴对在极低的电压就可有效分离，解决了低压下大幅提高光电协同催化降解效率的难题。
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公开(公告)号：CN116388932A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310441777.0
申请日：2023-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种盲帧同步的通信方法、装置及系统，属于纠错编译码技术领域；包括：S1、接收端接收发送端发送过来的数据进行解调，得到多帧经极化码编码的数据；对每一帧数据分别添加帧同步偏移，得到多个候选序列；S2、对获得的多个候选序列分别进行极化码译码，并在译码过程中通过综合候选序列中各冻结比特被正确译码的概率，得到各候选序列处于正确同步位置的概率，选择最大概率所对应的候选序列，返回其对应的帧同步位置与译码结果；本发明巧妙地设计了上述方法来实现盲帧同步通信，计算的复杂度较低，同步延时较短，同步性能较好，与此同时还能够充分利用极化码的自身优势，提高了通信的可靠性。
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公开(公告)号：CN102621062A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210045659.X
申请日：2012-02-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明公开了一种基于光电性能高通量筛选光催化剂的方法及其专用芯片。传统的光催化剂的评价是通过构建光催化反应器，来模拟有机物的降解过程。此方法耗时长，一次只能对一个样品进行测试，而且仅能获得材料的表观降解性能。本发明公开的方法涉及一个用于测试的高通量材料芯片，以及光、电、热、磁、气氛等多个可控外场。高通量的材料芯片保证了高的筛选效率，任意多个外场的组合可以进行光电流的时域测试，光电流频域测试，光霍尔测试，光激发气敏测试等等各种测试流程，来对光催化剂用半导体材料进行评价和筛选。该方法不但可以高通量的预测材料的光催化性能，还能获得丰富的材料的物理化学性能参数，在高性能且高太阳能利用率的新型光催化剂开发中有应用前景。
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公开(公告)号：CN111308271A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010155051.7
申请日：2020-03-07
Applicant: 云南电网有限责任公司 , 华中科技大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明公开了一种高压直流输电线路故障测距方法，包括以下步骤：S1、对Bergeron模型中的输电线路方程进行解耦，分别得到高压直流输电线路的暂态电压分量，以及整流侧和逆变侧的暂态电流分量；S2、基于所得暂态电压，以及整流侧和逆变侧的暂态电流分量，确定沿线电压、电流分布，并根据所得沿线电压、电流分布，计算沿线电压电流比值分布；S3、分别对沿线电压电流比值分布进行采样，计算采样所得的沿线电压电流比值的标准差，标准差最小的沿线电压电流比值所对应的距离即为故障距离。该方法无需滤波算法介入，通过在确定故障电流时引入了逆变侧助增电流，所需数据时间窗短，在复杂环境进行故障测距时，故障测距的准确性较高，具有更好的稳定测距性能。
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