-
公开(公告)号：CN104659123A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310601907.9
申请日：2013-11-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及透明电极层、N型缓冲层、P型吸收层和背电极层，P型吸收层材料为Sb2Se3、Cu3SbS3或Cu3SbS4；本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积N型缓冲层步骤、沉积P型吸收层步骤、沉积电极层步骤；还可以加入沉积空穴传导层步骤。本发明中构成P型吸收层的各种材料均选自地壳中资源丰富且不含有毒成分的元素，在制造和使用过程中不会造成环境污染，由它们构成的P型吸收层材料的禁带宽度范围约为0.5ev～2.5ev，光谱响应范围较广，吸光系数高达105cm-1。
-
公开(公告)号：CN104143579A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310163431.5
申请日：2013-05-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种锑基化合物构成的薄膜太阳能电池及其制备方法，属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒或生产工艺复杂的问题。本发明的锑基化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及在其上依次沉积的背电极层、P型吸收层、N型缓冲层、氧化物薄膜窗口层和金属栅电极，P型吸收层为CuXSbyβZ材料，其中β为S或Se。本发明中，P型吸收层的材料选自地壳中丰度较高的元素，资源丰富且因不含有毒成分而对环境友好，它们的禁带宽度范围约为0.5～2.5ev，光谱响应范围较广，吸光系数高达105cm-1，由其构成的化合物薄膜太阳能电池具有优异的光伏性能且对环境友好并有望实现低成本生产的优点。
-
公开(公告)号：CN118996628A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410949220.2
申请日：2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种立方相的全无机铅基钙钛矿材料、制备方法及应用，属于钙钛矿光电材料领域。该钛矿材料化学式为CsPb0.72Cd0.28Br3，该钙钛矿材料在传统的铅基钙钛矿材料的B位点引入了合适含量的Cd元素含量，使得八面体结构在纵向不能发生位移，始终保持立方相的结构，相比传统的钙钛矿材料，本申请提供的钙钛矿材料拥有更优异的材料性能，具体表现在：对称性高，立方对称性能够使立方相在晶体学中发挥重要作用，在材料的制备及应用中都存在着广泛的应用；结构简单，立方相的结构简单清晰，规则程度高，适用于制备高质量的单晶，其在晶体学理论上的研究相对容易；稳定性强，立方相的物理性质稳定，在高温、高压等情况下稳定性更高。
-
公开(公告)号：CN118975808A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410949630.7
申请日：2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及面阵成像技术领域，具体涉及一种多能谱X射线面阵成像系统，包括：第一发射组件，用于发射高通量的入射X射线；滤波像素组件，其包括位于第一发射组件发射侧的基板、设于基板的宏像素，宏像素包括多种衰减系数不同的子滤波片，每种子滤波片包括多个并构成一个子像素；其中，入射X射线通过宏像素进行滤波调制后通过成像物体，以形成基于不同子像素的多个出射X射线；面阵探测器，用于探测多个出射X射线获得成像信息。本申请具有能谱分辨率更高，入射X射线成像效果好、探测成本更低、实际操作性强的效果。
-
公开(公告)号：CN119534507A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411562722.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿单晶品质评价方法、程序产品，介质及电子设备，所述方法包括：将数字采集卡采集的第二预设数量的电压幅值组存储至目标文本文件中；读取所述目标文本文件中的每一个电压幅值组，并调用预设数据处理算法，通过所述预设数据处理算法对所述每一个电压幅值组进行数据处理，得到在多个评价维度上的钙钛矿单晶品质参数；针对每一个评价维度，统计在所述每一个评价维度上的所述第二预设数量的钙钛矿单晶品质参数，得到统计结果，所述统计结果用于评价所述钙钛矿单晶的品质。通过本申请提供的技术方案能够提高钙钛矿单晶品质评价的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118986374A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410950125.4
申请日：2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及X射线探测技术领域，具体涉及一种高通量X射线多能谱探测系统和探测方法，探测方法包括制备n种K吸收限不同的滤波片Zi，i∈(1,n)，n≥15；入射X射线准直后经过每一滤波片Zi衰减后均被探测得到电信号Si，Si＝∫η×[φ(E)×Ci(E)]dE，(Emin,Emax)；对电信号Si做离散化处理而后求解最小二乘解，得到入射X射线能谱。本申请基于能量积分的探测原理，通过不同线性衰减系数的滤波片的数学组合，实现对于高通量X射线能谱的灵活调制与解调，兼顾探测成本同时得到精细分辨率的X射线能谱。
-
公开(公告)号：CN106711272A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611071705.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/10 , H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友好，稳定等优点。
-
公开(公告)号：CN119546156A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411531917.4
申请日：2024-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，其中，按摩尔份数计，包括1份第一组分、0.05~0.15份第二组分和溶剂，第一组分为CsaFA1‑aPb(IbBr1‑b)3，其中a=0.1~0.5，b=0.2~0.8；第二组分为YPbX3，其中Y包括FA和MA中的一种或两种，X包括Cl、OCN、F中的一种或多种。本申请在宽带隙钙钛矿前驱体溶液中引入MAPbX3或FAPbX3，将部分Br替换为离子半径更小的X，在结晶过程中原位钝化晶界缺陷，抑制了非辐射复合以及光致相偏析；随后在组分中略微增加MAPbX3或FAPbX3的含量，略微过量的X‑会诱导晶格常数小的超宽带隙钙钛矿的形成，多余的X离子自发被排挤到晶界中，避免了非辐射复合的产生，从而提升器件性能。
-
公开(公告)号：CN104659123B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201310601907.9
申请日：2013-11-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及透明电极层、N型缓冲层、P型吸收层和背电极层，P型吸收层材料为Sb2Se3、Cu3SbS3或Cu3SbS4；本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积N型缓冲层步骤、沉积P型吸收层步骤、沉积电极层步骤；还可以加入沉积空穴传导层步骤。本发明中构成P型吸收层的各种材料均选自地壳中资源丰富且不含有毒成分的元素，在制造和使用过程中不会造成环境污染，由它们构成的P型吸收层材料的禁带宽度范围约为0.5ev～2.5ev，光谱响应范围较广，吸光系数高达105cm‑1。
-
公开(公告)号：CN106711272B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201611071705.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L31/032 , H01L31/10 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友好，稳定等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.03 seconds)
