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公开(公告)号：CN108986928A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810820896.6
申请日：2018-07-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/05
Abstract: 本发明公开了一种电子漂移注入系统，包括远程连接模块，控制模块，电源模块，电子发射模块，采集模块和反馈模块；电子发射模块的输入端连接至电源模块的输出端，控制端连接至控制模块的第二输出端，采集模块的输入端连接至电子发射模块的输出端，反馈模块的输入端连接至采集模块的输出端，控制模块的第二输入端连接至反馈模块的输出端；远程连接模块通过远程连接控制信号实现触发并设定电流初始值；控制模块输出触发信号，并根据反馈模块输出的注入电流大小控制在阴极预热阶段实现自动升高电流操作。本发明引入了反馈模块，在阴极预热阶段即可大量减少人力成本，还可以自动找出能够实现电子注入量最大时的电子枪下探距离。
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公开(公告)号：CN108270410A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810115434.4
申请日：2018-02-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明公开了一种带宽与增益多级可调的程控放大器及控制方法，该程控放大器包括第一级放大器、第二级放大器、第三级放大单元、微控制器及电压采集器，第三级放大单元包括第三级放大器、第一数字电位器及第二数字电位器，第一级放大器至第三级放大器均用于放大输入信号；电压采集器用于采集第三级放大单元的输出电压；微控制器用于根据设定放大增益、带宽和电压采集单元输出信号输出第一控制信号和第二控制信号；第一数字电位器用于根据第一控制信号调整接入电路中阻值实现调整程控放大器的带宽，第二数字电位器用于根据第二控制信号调整接入电路中阻值实现调整程控放大器的增益。本发明电路结构简单，硬件成本低。
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公开(公告)号：CN106816182A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611186753.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/25
CPC classification number: G21B1/25
Abstract: 本发明公开了一种注入电子收集器，包括注入电子收集单元，偏压电源单元，数据采集处理单元和调节单元；注入电子收集单元通过托卡马克装置的窗口深入装置内并可在装置内上下移动，用于收集注入电子；偏压电源单元用于给注入电子提供偏压，将注入电子输送到数据采集处理单元；数据采集处理单元用于采集注入电子电流，并根据注入电子电流确定收集的注入电子的数量，电子注入源及注入器角度调节单元根据固定时间间隔内的注入电子数量差来自适应地调整电子注入源的电子密度和电子漂移注入器的注入角度，确定托卡马克装置具有最大注入电子率时，对应的电子注入源的最佳电子密度和电子漂移注入器的最佳注入角度。
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公开(公告)号：CN111219572A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911199589.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可混频器支架，属于精密调节混频器支架领域，包括混频器固定模块、导轨调节模块和阵列装配模块，混频器固定模块位于导轨调节模块的上方；阵列装配模块与导轨调节模块相连；混频器固定模块用于通过前后左右调节混频器至聚焦后的光信号位置并固定；导轨调节模块用于将光信号聚焦，并与混频器固定模块连接左右调节混频器的位置；阵列装配模块用于将入射光反射并与透射光合束形成光信号传播至导轨调节模块。本发明不仅实现了对混频器的固定，而且实现了混频器位置的精确调节。
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公开(公告)号：CN110109231A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910351216.5
申请日：2019-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B13/00 , G02B7/04 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种数控自动微波成像镜头，包括：第一弧矢双凸面透镜、第一平凸透镜、第一凹凸透镜、第二凹凸透镜、第二平凸透镜、第二弧矢双凸面透镜及精密位移控制系统；所述第一弧矢双凸面透镜用于微波收束；所述第一平凸透镜、第一凹凸透镜与第二凹凸透镜三面透镜共同作用，用于调整场曲和实现变焦；所述第二平凸透镜用于实现所述成像镜头在观测位置的聚焦；所述第二弧矢双凸面透镜用于二次微波收束；所述精密位移控制系统用于控制所述成像镜头的观测范围和观测位置。本发明通过远程控制精密电移动平台对各透镜位置进行精准定位和控制，实现成像镜头的观测位置和观测范围可控，能够满足不同的测量需求，更加适用于复杂、难以靠近的测量环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106898385B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710126308.4
申请日：2017-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/15
Abstract: 本发明公开了一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和方法；装置包括分段的负极板、正极板和电子枪；负极板与正极板相对并与磁场方向平行放置；电子枪位于极板边缘且平行于极板。本发明采用电子枪，能发射出大量高速运动的电子束；电场由通电极板产生，电场方向与磁场方向垂直；电子枪位于极板边缘且与极板平行，电子枪能发射出大量高速运动的电子束。这些电子束经过分段的电场区域时产生电漂移运动。在极板出口收集电子束，根据收集电子束大小，反馈调整电子枪发射面角度与发射功率。本发明通过分段的电场，克服单一极板产生恒定电场的不足。通过构造合理的电场位形，能使电子束沿着合理的轨迹不打到极板，大大提高注入效率。
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公开(公告)号：CN108986928B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810820896.6
申请日：2018-07-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/05
Abstract: 本发明公开了一种电子漂移注入系统，包括远程连接模块，控制模块，电源模块，电子发射模块，采集模块和反馈模块；电子发射模块的输入端连接至电源模块的输出端，控制端连接至控制模块的第二输出端，采集模块的输入端连接至电子发射模块的输出端，反馈模块的输入端连接至采集模块的输出端，控制模块的第二输入端连接至反馈模块的输出端；远程连接模块通过远程连接控制信号实现触发并设定电流初始值；控制模块输出触发信号，并根据反馈模块输出的注入电流大小控制在阴极预热阶段实现自动升高电流操作。本发明引入了反馈模块，在阴极预热阶段即可大量减少人力成本，还可以自动找出能够实现电子注入量最大时的电子枪下探距离。
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公开(公告)号：CN110830066A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911276764.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种多道带宽及增益可调的信号处理系统及方法，属于电子技术领域，包括：低通模块用于对微波电压信号低通滤波；控制模块根据上位机信号和电压比较器传递的“1”或“0”信号，对第一模拟开关芯片信号进行通道的选通，且对可调增益放大器对地电阻进行不同阻值的选择；可调增益放大器对增益与带宽选择后的微波电压信号进行放大，向电压比较器传递输出电压信号；电压比较器用于判断输出电压信号是否达到基准电平，若达到基准电压，则向所述控制模块输出“1”信号，反之，输出“0”信号。本发明增益与带宽独立调节，微波接收机动态范围更广，且不影响信号稳定性。
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公开(公告)号：CN108227784A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810092795.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G05D23/20
Abstract: 本发明公开一种电子学器件温度闭环控制系统及其安装方法，包括：温度检测电路用于检测电子学器件的实际温度，微控制器输入端与温度检测电路相连，输出端与IGBT驱动电路相连，用于通过温度检测电路确定电子学器件的实际温度，并提供相应占空比的驱动信号驱动IGBT驱动电路；IGBT驱动电路与Buck电路相连，IGBT驱动电路用于对Buck电路的输出电压进行调制，Buck电路经调制后的输出电压的幅值与IGBT驱动电路驱动信号的占空比成正比；Buck电路用于通过经调制后的输出电压控制半导体制冷器制冷，调节电子学器件的温度至设定温度值，半导体制冷器的冷面与电子学器件紧密接触。本发明实现温度的闭环控制，电路结构较为简单、硬件成本低以及系统工作灵活。
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公开(公告)号：CN106816182B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201611186753.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G21B1/25
Abstract: 本发明公开了一种注入电子收集器，包括注入电子收集单元，偏压电源单元，数据采集处理单元和调节单元；注入电子收集单元通过托卡马克装置的窗口深入装置内并可在装置内上下移动，用于收集注入电子；偏压电源单元用于给注入电子提供偏压，将注入电子输送到数据采集处理单元；数据采集处理单元用于采集注入电子电流，并根据注入电子电流确定收集的注入电子的数量，电子注入源及注入器角度调节单元根据固定时间间隔内的注入电子数量差来自适应地调整电子注入源的电子密度和电子漂移注入器的注入角度，确定托卡马克装置具有最大注入电子率时，对应的电子注入源的最佳电子密度和电子漂移注入器的最佳注入角度。
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