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公开(公告)号：CN117486255A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311346344.3
申请日：2023-10-17
Abstract: 本发明涉及一种硫化铅量子点制备方法，具体包括向氯化铅和油胺的混合液中快速注入ZnS量子点溶液使其成核，维持一定时间后，快速注入二硫代氨基甲酸锌的胺溶液，通过调控温度、硫源浓度等来调控合成PbS量子点的尺寸。本发明提供的一种单一前驱体二硫代氨基甲酸锌来替代ZnS量子点作为生长的硫源，不仅不需要滴加注射，节省了时间，也省去了合成ZnS量子点的复杂步骤。
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公开(公告)号：CN118724053A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410715447.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C01G21/21 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00 , G01V8/10 , C09K11/66 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种硫化铅纳米立方体量子点、制备方法及应用，该制备方法通过将ZnS量子点溶液和PbS量子点溶液按一定比例进行混合，在混合反应的过程中，ZnS在非极性溶剂中产生较高浓度的硫源，硫源会与PbS量子点吸附的配体反应，生成额外的PbS附加在PbS的量子点表面；同时由于PbS量子点的表面配体的减少，少量的配体就可实现钝化，有利于PbS(100)面的生长，最终形成PbS立方体量子点。该制备方法制备的PbS立方体量子点尺寸小，具有较强的量子限域效应，非常适用于红外探测器、太阳能电池、近红外激光器等光学器件，另外，该制备方法，流程简单，稳定性好，适合PbS立方体量子点的大规模制备。
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公开(公告)号：CN118931525A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410817249.5
申请日：2024-06-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/02 , H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/66 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/89
Abstract: 本发明提出了一种量子点超晶格薄膜的制备方法，该方法的步骤包括：S1、配制量子点溶液和乙二醇溶液；S2、在干燥磨具中注入乙二醇溶液；S3、在乙二醇液面上均铺撒一层滑石粉，作为缓冲层；S4、将量子点溶液滴加在乙二醇液面上，迅速盖上玻璃盖板，待液面上的薄膜干燥；S5、薄膜干燥后，在模具角落注入乙二胺溶液进行配体交换；S6、配体交换结束后，取出最终获得的薄膜进行干燥。该制备方法在气液界面滴加量子点溶液之前，先在液面上铺撒一层滑石粉作为缓冲层，缓冲层能够有效隔离量子点薄膜与模具之间的相互影响，使薄膜制备过程与模具解耦，能够很好地缓解量子点溶液蒸发组装过程中产生的内应力，提高了最终超晶格薄膜的可重复性和均匀性，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113943225A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111131204.5
申请日：2021-09-26
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C07C211/63 , C07C209/68 , C07C209/84 , C09K11/06 , C08J5/18 , C08L25/06 , C08L33/12 , C08K5/17 , C30B7/06 , C30B29/12 , G01T1/202
Abstract: 本发明属于闪烁体材料制备与高能射线探测领域，公开了一种零维有机锰基金属卤化物β射线闪烁体及其制备方法，其中β射线闪烁体的化学通式为A2MnBr4，其中，A为甲基三丁基胺根离子(C13H30N+)或苄基三丁基胺根离子(C19H34N+)中的任意一种，Mn为二价锰离子Mn2+。可通过室温溶剂挥发法制备得到单晶，利用超声破碎法制备得到纳米晶以及纳米晶柔性复合膜β射线闪烁体。本发明与现有技术相比，能够有效扩展β射线闪烁体的种类，且具有高效环保，稳定，对高能电子束的耐辐照性强，荧光量子产率高，无自吸收等特点。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明制备的纳米晶柔性复合膜，尤其可应用于柔性β射线探测。
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公开(公告)号：CN113201328A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110388977.5
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/61 , C09K11/06 , C07C209/00 , C07C211/07 , H01L33/50
Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用，该材料的化学式为(C16H36N)CuI2，尤其可应用于在白光LED中。本发明通过对材料的化学组成进行改进，得到(C16H36N)CuI2材料，无需稀土元素参与，即可实现单基质双带白光发射，与现有技术相比能够有效扩展单基质白光材料的种类，实现了发射光谱覆盖整个可见光区域，在400～850nm，激发光谱覆盖250～400nm，其PLQY高达54.3％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111621287A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010460127.7
申请日：2020-05-27
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于复合功能薄膜制备领域，公开了一种量子点聚合物复合膜及其制备方法，其中量子点聚合物复合膜包括至少一层量子点复合层和至少一层中介层，量子点复合层和中介层交替形成；量子点复合层是由量子点材料和高分子聚合物材料复合形成；中介层是由高分子聚合物材料构成；量子点复合层和中介层中所采用的高分子聚合物材料互不相容。本发明通过对量子点聚合物复合膜的细节结构组成进行改进，并对相应制备方法的整体工艺流程设计、各工艺细节参数条件进行控制，利用由高分子聚合物材料构成的中介层参与构建量子点聚合物复合膜，每两层量子点复合层之间均被中介层隔开，能够在增加薄膜厚度的情况下，保证薄膜的均匀性，同时提升薄膜的稳定性。
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公开(公告)号：CN111348674A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010054655.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于类钙钛矿纳米晶技术领域，公开了一种Cs3Cu2X5纳米晶的制备方法及产物，其中制备方法是通过向热注入法制备Cs3Cu2X5纳米晶的前驱液中额外引入卤化铟InX3或卤化锌ZnX2，利用热注入法制备纳米晶的工艺制备得到Cs3Cu2X5纳米晶，其中X选自Cl、Br、I。本发明通过对纳米晶制备方法中关键的调控纳米晶生长的前驱物进行改进，以卤化铟或卤化锌作为前驱物中的添加剂，配合以铜元素作为铅元素的替代物，完成无铅金属卤化物发光纳米晶的制备，本发明制备过程易于实现，成本低，同时还能够解决含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN108485648A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810277914.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于化合物半导体纳米材料制备技术领域，更具体地，涉及一种油溶性硫化锌量子点及其制备方法。本发明提供的油溶性硫化锌量子点，粒径可以小于2nm，吸收峰位于深紫外区，而且吸收峰异常尖锐，表明尺寸非常均匀。本发明提供的一种油溶性硫化锌量子点的制备方法操作过程简单，制备过程对环境要求不高，所需设备及原材料成本低。
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公开(公告)号：CN113337277A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110548572.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域，公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用，其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz，其中，A为[(CH3)(CH2)n]4N+，Cu为一价铜离子Cu+；X为卤素，选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比，能够有效扩展单晶闪烁体的种类，实现了发射光谱在可见光区域内可调，且荧光量子产率(PLQY)高达96.7％，能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜，尤其可应用于柔性X射线成像，得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。
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公开(公告)号：CN108502927B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810535204.3
申请日：2018-05-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将溴化铋与油酸、油胺、1‑十八烯四者混合形成混合物，接着，在持续抽真空的条件下，将该混合物加热至100‑120℃，并维持60‑120min，得到含有溴化铋的混合溶液；(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气，并将温度升至170‑180℃，然后注入油酸铯溶液，反应时间维持5‑60s，即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进，能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题，是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法，并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。
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