公开(公告)号：CN119060732A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202311833740.9

申请日：2023-12-28

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 高亮 ,  王一川 ,  唐江 ,  刘婧 ,  刘奕凝

IPC: C09K11/89 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01J1/42

Abstract: 本申请涉及量子点技术领域，具体涉及一种均一的长波红外量子点及其制备方法和光电探测器，光电探测器包括均一的长波红外量子点，均一的长波红外量子点的制备方法包括配置0.07‑0.1mol/L的汞前驱体溶液；配置0.4‑0.6mol/L的硒脲溶液，并在120‑150℃条件下注入汞前驱体溶液，反应2‑10min，得第一溶液；配置0.025‑0.06mol/L的二硫化硒溶液，并在120‑150℃条件下匀速注入第一溶液，控制注入时间为15‑40min，得第二溶液；第二溶液提纯得均一的长波红外量子点。本申请具有获得均一性良好的长波红外量子点的效果。

公开(公告)号：CN119815973A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510031569.2

申请日：2025-01-09

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 高亮 ,  王一川 ,  唐江 ,  陈龙 ,  刘婧 ,  张建兵

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/222 ,  H10F77/30

Abstract: 本申请提供一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法，所述量子点探测器的制备方法，包括：在所述衬底上依次制备底电极、电子阻挡层、P型空穴传输层、吸光层、牺牲层；在所述牺牲层的一侧表面制备亲水层；所述亲水层材料为WOx；在所述亲水层一侧表面制备n型电子传输层，在所述n型电子传输层远离所述亲水层的一侧表面制备顶电极。本申请的方案在牺牲层C60表面上设置一层亲水层，水源沉积在亲水层上后，会大大减小接触角(根据实验结果，水的接触角为6°)，这会提高n型电子传输层质量，整体提升探测器的探测性能，此外，氧化钨界面层的引入以及电子传输层质量的提高可以一定程度上抑制卤素离子(I‑)迁移，提升器件稳定性。

公开(公告)号：CN119767992A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411780548.2

申请日：2024-12-05

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 高亮 ,  王一川 ,  唐江 ,  陈龙 ,  刘婧 ,  张建兵

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K30/60 ,  H10K30/88 ,  H10K30/10

Abstract: 本申请提供一种光电探测器的制备方法以及光电探测器，光电探测器的制备方法包括：制备量子点溶液，所述量子点溶液中的量子点被卤素包裹；利用2,6‑双(氨甲基)吡啶配体制备量子点分散剂；将所述量子点溶液加入所述量子点分散剂中，得到有源层前驱物；基于所述有源层前驱物制备有源层，从而制备所述光电探测器。在有源层中引入2,6‑双(氨甲基)吡啶配体制备的量子点分散剂，能够有效钝化量子点溶液中未被卤素配体充分钝化的量子点表面缺陷，使得PbS CQDs暴露的晶面缺陷得到更好地钝化，有效提升了光电探测器的光电性能。