公开(公告)号：CN119944432A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510123953.5

申请日：2025-01-26

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 戴江南 ,  魏御繁 ,  高志伟 ,  赵永明 ,  梁振刚 ,  郑刚 ,  彭洋 ,  陈长清

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/20

Abstract: 本申请公开一种深紫外光子晶体面发射激光器，涉及半导体光电技术领域。深紫外光子晶体面发射激光器包括：衬底层、氮化铝模板层、第一布拉格反射层、外延结构和第二布拉格反射层；氮化铝模板层设置于第一布拉格反射层与衬底层之间，外延结构设置于第二布拉格反射层与第一布拉格反射层之间；其中，第一布拉格反射层包括周期性排列的气孔型光子晶体结构、多个第一子层和多个第二子层，第一子层包括Alx1Ga1‑x1N材料，第二子层包括Alx2Ga1‑x2N材料，0.3≤x1≤0.4，0.45≤x2≤0.55。本申请降低了深紫外光子晶体面发射激光器的激射阈值，并提高了深紫外光子晶体面发射激光器的激射功率。