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公开(公告)号：CN113201930A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110537560.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 华侨大学 , 厦门市纳丝达无纺布有限公司
IPC: D06M11/74 , H05K9/00 , D04H1/541 , D04H1/544 , D04H1/548 , D04H1/549 , D04H1/55 , D04H3/005 , D04H3/007 , D04H3/009 , D04H3/011 , D04H3/14 , D04H3/153 , D04H5/06 , D06M101/20
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料及其制备方法，涉及功能复合材料技术领域。本发明提供的石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料包括无纺布纤网基体和包覆在所述无纺布纤网基体的纤维表面及纤维空隙中的石墨烯导电层。本发明提供的石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料不仅轻质、柔软，而且具有优异的导电性和电磁屏蔽性能。本发明提供了所述石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料的制备方法，无需进行金属混纺或镀金属层，大幅缩短了工艺流程和成本，简便易行、高效、可操作性高，有利于工业化大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106023236B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610431135.2
申请日：2016-06-16
Applicant: 华侨大学
IPC: G06T7/10
Abstract: 本发明涉及一种基于截断Dirichlet过程无限Student’s t混合模型的脑部核磁共振图像分割方法，基于Dirichlet过程无限Student’s t混合模型，将无限Student’s t混合模型中的分量数假设为预设的图像的分割数K，然后利用期望最大化算法对模型进行求解，再利用贝叶斯最大后验概率准则进行图像分割。本发明所述的方法中，假设的Student’s t混合模型直接对应到脑部核磁共振图像不同的部分，而且Student’s t分布的高尾部特性决定了模型有较好的抗噪效果，从而实现脑部核磁共振图像分割。求解Dirichlet过程无限Student’s t混合模型的过程中，本发明用简单高效的期望最大化算法对基于截断Dirichlet过程无限Student’s t混合模型进行求解，使模型的求解变得更易实现。本发明的实施，能够在PC端对一幅脑部核磁共振图像快速自动地进行分割。
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公开(公告)号：CN106023236A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610431135.2
申请日：2016-06-16
Applicant: 华侨大学
IPC: G06T7/00
CPC classification number: G06T2207/10088 , G06T2207/30016
Abstract: 本发明涉及一种基于截断Dirichlet过程无限Student’s t混合模型的脑部核磁共振图像分割方法，基于Dirichlet过程无限Student’s t混合模型，将无限Student’s t混合模型中的分量数假设为预设的图像的分割数K，然后利用期望最大化算法对模型进行求解，再利用贝叶斯最大后验概率准则进行图像分割。本发明所述的方法中，假设的Student’s t混合模型直接对应到脑部核磁共振图像不同的部分，而且Student’s t分布的高尾部特性决定了模型有较好的抗噪效果，从而实现脑部核磁共振图像分割。求解Dirichlet过程无限Student’s t混合模型的过程中，本发明用简单高效的期望最大化算法对基于截断Dirichlet过程无限Student’s t混合模型进行求解，使模型的求解变得更易实现。本发明的实施，能够在PC端对一幅脑部核磁共振图像快速自动地进行分割。
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公开(公告)号：CN115029924B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210636238.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 华侨大学 , 厦门市纳丝达无纺布有限公司
IPC: D06M11/83 , D06M11/74 , D06M13/463 , D06M101/20 , D06M101/28
Abstract: 本发明涉及无纺布技术领域，提供了一种抗静电无纺布的制备方法。本发明将无纺布依次在阳离子表面活性剂溶液、氧化石墨烯溶液中浸渍之后再将无纺布浸渍于硝酸银溶液中进行还原反应，得到抗静电无纺布。在本发明中，阳离子表面活性剂的亲油端通过范德华力附着于无纺布表面，氧化石墨烯可通过正负离子化学结合与表面活性剂的亲水端结合，或直接通过范德华力与无纺布结合，硝酸银溶液中的银离子与氧化石墨烯结合，经还原反应后，银离子被还原成银粒子，氧化石墨烯被还原成还原氧化石墨烯，生成的银纳米粒子填补石墨烯片层间的缺陷，提高无纺布的抗静电性能。本发明制备得到的抗静电层比现有技术中的单一亲水性薄膜更稳定，具有更好的抗静电耐久性。
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公开(公告)号：CN113201930B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110537560.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 华侨大学 , 厦门市纳丝达无纺布有限公司
IPC: D06M11/74 , H05K9/00 , D04H1/541 , D04H1/544 , D04H1/548 , D04H1/549 , D04H1/55 , D04H3/005 , D04H3/007 , D04H3/009 , D04H3/011 , D04H3/14 , D04H3/153 , D04H5/06 , D06M101/20
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料及其制备方法，涉及功能复合材料技术领域。本发明提供的石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料包括无纺布纤网基体和包覆在所述无纺布纤网基体的纤维表面及纤维空隙中的石墨烯导电层。本发明提供的石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料不仅轻质、柔软，而且具有优异的导电性和电磁屏蔽性能。本发明提供了所述石墨烯无纺布电磁屏蔽复合材料的制备方法，无需进行金属混纺或镀金属层，大幅缩短了工艺流程和成本，简便易行、高效、可操作性高，有利于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN115029924A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210636238.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 华侨大学 , 厦门市纳丝达无纺布有限公司
IPC: D06M11/83 , D06M11/74 , D06M13/463 , D06M101/20 , D06M101/28
Abstract: 本发明涉及无纺布技术领域，提供了一种抗静电无纺布的制备方法。本发明将无纺布依次在阳离子表面活性剂溶液、氧化石墨烯溶液中浸渍之后再将无纺布浸渍于硝酸银溶液中进行还原反应，得到抗静电无纺布。在本发明中，阳离子表面活性剂的亲油端通过范德华力附着于无纺布表面，氧化石墨烯可通过正负离子化学结合与表面活性剂的亲水端结合，或直接通过范德华力与无纺布结合，硝酸银溶液中的银离子与氧化石墨烯结合，经还原反应后，银离子被还原成银粒子，氧化石墨烯被还原成还原氧化石墨烯，生成的银纳米粒子填补石墨烯片层间的缺陷，提高无纺布的抗静电性能。本发明制备得到的抗静电层比现有技术中的单一亲水性薄膜更稳定，具有更好的抗静电耐久性。
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