一种调节陶瓷窑炉空气系数的方法

    公开(公告)号:CN110287642A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910613543.3

    申请日:2019-07-09

    Inventor: 裴秀娟 郑占申

    Abstract: 本发明公开了一种调节陶瓷窑炉空气系数的方法,其实通过与陶瓷窑炉连接的现场智能仪表、数据库构建一种调节空气系数的热工技术方案和计算模型。本发明是通过调节空气系数的热工技术方案和计算模型将陶瓷窑炉的空气系数调整为最佳值,使得满足产品烧成工艺要求的同时,既能提高产品的质量和档次,又能最大限度的实现节能减排降消耗,推动陶瓷产业的绿色化发展。

    一种调节陶瓷窑炉空气系数的方法

    公开(公告)号:CN110287642B

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN201910613543.3

    申请日:2019-07-09

    Inventor: 裴秀娟 郑占申

    Abstract: 本发明公开了一种调节陶瓷窑炉空气系数的方法,其实通过与陶瓷窑炉连接的现场智能仪表、数据库构建一种调节空气系数的热工技术方案和计算模型。本发明是通过调节空气系数的热工技术方案和计算模型将陶瓷窑炉的空气系数调整为最佳值,使得满足产品烧成工艺要求的同时,既能提高产品的质量和档次,又能最大限度的实现节能减排降消耗,推动陶瓷产业的绿色化发展。

    一种SiC晶须的制备方法

    公开(公告)号:CN109652857B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201910115067.2

    申请日:2019-02-14

    Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,属于SiC制备技术领域,该方法取聚硅氧烷置于容器中;向盛有聚硅氧烷的容器中滴入适量氯铂酸酒精溶液;用磁力搅拌器搅拌;将混合后的溶液放在鼓风干燥箱中180℃交联;将交联后的聚硅氧烷制成粉体;分别筛分出粒径为280um‑450um,154um‑180um,150um‑154um的不同粉末;用所制得的不同粒径交联粉末包埋不同的石墨基体,用管式气氛炉进行1500℃高温烧结。该方法以不同厚度石墨基体为生长平台,通过改变基体形态和粉体粒度,控制包埋深度,制备不同形态晶须。本发明的制备SiC晶须方法,生产过程简单,操作性强,生产成本低,可生长不同形态的高品质SiC晶须,拓展其增强体和吸波材料领域的应用。

    一种水热法合成的具有Z型异质结CdS/g-C3N4复合光催化剂材料的制备方法

    公开(公告)号:CN112427045A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011307002.7

    申请日:2020-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种水热法合成的具有Z型异质结CdS/g‑C3N4复合光催化剂材料的制备方法,其中CdS/g‑C3N4缩写为CNCS,通过改变CN的掺入量来调控复合光催化剂材料的微观形貌,在g‑C3N4(CN)和CdS之间构建了Z型异质结,促进了光生载流子的分离并增强了氧化还原能力;此方法首先在高温下煅烧三聚氰胺再洗涤干燥得到g‑C3N4粉末,随后再二次煅烧制得g‑C3N4纳米片,紧接着在四水合硝酸镉和硫脲配置的溶液中加入不同质量的g‑C3N4纳米片,制得具有特殊构型的CdS/g‑C3N4复合材料;本方法制得的CdS/g‑C3N4Z型异质结具有海胆状的结构,增大了样品的比表面积使得活性位点增多,具有出色的降解污染物的能力和优异的循环稳定性,且多次循环后晶体结构不变,为制备特定形貌的光催化剂提供了参考。

    一种SiC晶须的制备方法

    公开(公告)号:CN109652857A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201910115067.2

    申请日:2019-02-14

    CPC classification number: C30B29/36 C30B1/10 C30B29/62

    Abstract: 本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,属于SiC制备技术领域,该方法取聚硅氧烷置于容器中;向盛有聚硅氧烷的容器中滴入适量氯铂酸酒精溶液;用磁力搅拌器搅拌;将混合后的溶液放在鼓风干燥箱中180℃交联;将交联后的聚硅氧烷制成粉体;分别筛分出粒径为280um-450um,154um-180um,150um-154um的不同粉末;用所制得的不同粒径交联粉末包埋不同的石墨基体,用管式气氛炉进行1500℃高温烧结。该方法以不同厚度石墨基体为生长平台,通过改变基体形态和粉体粒度,控制包埋深度,制备不同形态晶须。本发明的制备SiC晶须方法,生产过程简单,操作性强,生产成本低,可生长不同形态的高品质SiC晶须,拓展其增强体和吸波材料领域的应用。

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