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公开(公告)号：CN108828318A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810160014.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明属于高频变压器建模技术领域，尤其涉及一种提取级联型隔离变压器寄生电容的方法，包括：基于隔离变压器低频磁效应与高频电容效应来构建单个隔离变压器等效电路模型；将n个隔离变压器级联的模型等效为链式电路计算级联隔离变压器端口阻抗函数；根据零极点分析构建级联隔离变压器端口阻抗谐振频率与电路参数的关系式；用阻抗分析仪测试得到级联隔离变压器的端口开路阻抗谐振频率、级联隔离变压器在低频时输出端开路和短路的情况下的输入端阻抗，并分别计算励磁电感和漏磁电感，并计算隔离变压器的寄生电容。本发明无需内部结构数据即可方便有效地提取出变压器内部的寄生电容，有助于研究级联变压器二端口网络的宽频特性和寄生参数效应。
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公开(公告)号：CN108828318B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201810160014.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明属于高频变压器建模技术领域，尤其涉及一种提取级联型隔离变压器寄生电容的方法，包括：基于隔离变压器低频磁效应与高频电容效应来构建单个隔离变压器等效电路模型；将n个隔离变压器级联的模型等效为链式电路计算级联隔离变压器端口阻抗函数；根据零极点分析构建级联隔离变压器端口阻抗谐振频率与电路参数的关系式；用阻抗分析仪测试得到级联隔离变压器的端口开路阻抗谐振频率、级联隔离变压器在低频时输出端开路和短路的情况下的输入端阻抗，并分别计算励磁电感和漏磁电感，并计算隔离变压器的寄生电容。本发明无需内部结构数据即可方便有效地提取出变压器内部的寄生电容，有助于研究级联变压器二端口网络的宽频特性和寄生参数效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108051723B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201711427171.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种大电流关断特性测试方法。该方法包括：在初始时刻导通被测器件，并逐渐增加电流；在第一时刻对被测器件施加关断信号，记录电流为第一电流值；检测电流变化并导通保护电路，保护电路与被测器件并联；若电流波动或持续上升，则减小第一时刻与初始时刻的时间间隔重新测试；若电流持续下降，则在电流下降到一定程度后关断保护电路；再次导通被测器件并施加关断信号，记录电流为第二电流值；检测电流变化并导通保护电路；若电流持续下降，则增大时间间隔重新测试；若电流波动或持续上升，则确定可关断的电流最大值介于第一电流值和第二电流值之间。本发明的测试方法，可以避免对被测器件造成损坏，大大降低测试成本。
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公开(公告)号：CN108051723A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711427171.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2617
Abstract: 本发明公开了一种大电流关断特性测试方法。该方法包括：在初始时刻导通被测器件，并逐渐增加电流；在第一时刻对被测器件施加关断信号，记录电流为第一电流值；检测电流变化并导通保护电路，保护电路与被测器件并联；若电流波动或持续上升，则减小第一时刻与初始时刻的时间间隔重新测试；若电流持续下降，则在电流下降到一定程度后关断保护电路；再次导通被测器件并施加关断信号，记录电流为第二电流值；检测电流变化并导通保护电路；若电流持续下降，则增大时间间隔重新测试；若电流波动或持续上升，则确定可关断的电流最大值介于第一电流值和第二电流值之间。本发明的测试方法，可以避免对被测器件造成损坏，大大降低测试成本。
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公开(公告)号：CN108196177B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201711427174.6
申请日：2017-12-26
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体组件性能测试系统，所述测试系统包括：直流电源、第一电流单元、第二电流单元、半导体组件单元、电压固定单元、吸能及保护单元；通过设置第一电流单元、电压固定单元、第二电流单元来分别模拟实际O‑C‑O工况下的第一次分断时流过被测半导体组件的第一故障电流、第一次分断时被测半导体组件两端的稳态电压、第二次分断时流过被测半导体组件的第二故障电流、第二次分断时被测半导体组件两端的稳态电压；通过检测流过被测半导体组件的电流或被测半导体组件两端的电压就能评估被测半导体组件性能的可靠性，为实际工程提供重要参考。
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公开(公告)号：CN108196177A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711427174.6
申请日：2017-12-26
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体组件性能测试系统，所述测试系统包括：直流电源、第一电流单元、第二电流单元、半导体组件单元、电压固定单元、吸能及保护单元；通过设置第一电流单元、电压固定单元、第二电流单元来分别模拟实际O-C-O工况下的第一次分断时流过被测半导体组件的第一故障电流、第一次分断时被测半导体组件两端的稳态电压、第二次分断时流过被测半导体组件的第二故障电流、第二次分断时被测半导体组件两端的稳态电压；通过检测流过被测半导体组件的电流或被测半导体组件两端的电压就能评估被测半导体组件性能的可靠性，为实际工程提供重要参考。
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公开(公告)号：CN108169666A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711427139.4
申请日：2017-12-26
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明公开一种大电流关断特性测试装置。所述装置包括：电容模块、负载模块和保护模块；电容模块、负载模块与被测器件形成串联闭合回路；电容模块与负载模块配合产生测试电流；测试电流为被测器件的额定电流值的数倍；被测器件为全控型器件；保护模块与被测器件并联，保护模块的额定电流大于测试电流，保护模块在投入后流过被测器件的电流迅速下降。本发明提供的大电流关断特性测试装置能够在被测器件不损坏的前提进行大电流(超过被测器件额定电流值数倍)情况下的双脉冲测试。
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