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公开(公告)号：CN118962370A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411059705.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本申请涉及一种独立调温的压接型IGBT器件结温梯度测量装置，所述装置包括两组控温测量单元、位于两组控温测量单元之间的并联母排以及连接并联母排的电源组件；所述控温测量单元包括IGBT器件、IGBT压接腔、IGBT压装平台、加热台以及控温器。该装置通过两组控温测量单元以模拟高温侧和低温侧环境，并通过分别独立控制控温测量单元的温度，以实现更准确的模拟压接型IGBT器件内部结温的不均匀分布，实现不同芯片的准确温度控制，可以满足芯片温度的定制化性需求，保证了芯片加热精度，提高了结果准确性；同时该装置不需要破坏原有封装结构，其极大的降低了实验复杂程度，真实模拟了结温环境，进一步提高了结果精度。
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