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发明公开
软磁材料的高频磁滞特性预测方法、系统及电子设备审中-实审

公开(公告)号：CN117198433A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311068885.4

申请日：2023-08-23

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 赵小军 , 武欣怡 , 王浩名

IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G01R33/12

Abstract: 本发明涉及软磁材料技术领域，提供一种软磁材料的高频磁滞特性预测方法、系统及电子设备，包括：获取软磁材料的物理参数和软磁材料所在磁场的磁场参数；将物理参数和磁场参数输入动态磁滞模型，得到静态磁滞损耗对应的磁场强度的预测值，在高频激励下的涡流损耗对应的磁场强度的预测值和异常损耗对应的磁场强度的预测值；动态磁滞模型基于Preisach模型预测静态磁滞损耗对应的磁场强度，基于构建的麦克斯韦方程组预测在高频激励下的涡流损耗对应的磁场强度，基于磁畴理论预测异常损耗对应的磁场强度。本发明用以解决现有技术中因未推导得到考虑趋肤效应的涡流损耗对应磁场强度公式，所造成不能同时实现高频条件下材料磁滞和损耗特性的精确模拟的缺陷。

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