一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法

    公开(公告)号:CN119230657A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411346850.7

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明属于偏振光电探测器领域,具体公开了一种基于ALD工艺制备碲薄膜自驱动偏振光电探测器的方法,先采用ALD工艺在绝缘衬底上沉积碲薄膜;在绝缘衬底上的碲薄膜两端制备源电极和漏电极;采用ALD工艺在靠近源电极一侧的碲薄膜上沉积Al2O3薄膜;退火工艺处理,得到碲薄膜自驱动偏振光电探测器。与现有技术相比,本发明所用制备方法工艺可控、热预算低,具有更高的工艺兼容性,有利于实现工业化、大批量生产;本发明制备的碲薄膜自驱动偏振光电探测器具有出色的偏振光电探测能力,无需任何外部电压;因此,本发明制备的碲薄膜自驱动偏振光电探测器自驱动偏振灵敏特性优异,可应用在低功耗偏振光电探测领域,具有很强的市场前景和发展潜力。

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