公开(公告)号：CN118060559A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410146838.5

申请日：2024-02-02

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨超 ,  廖雨欣 ,  蔡潍锶 ,  丁言飞 ,  吴总 ,  宋长辉

IPC: B22F10/50 ,  B22F10/366 ,  B22F10/38 ,  B22F10/28 ,  B33Y10/00 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明公开了一种层片结构形状记忆合金及其4D打印制备方法。该制备方法在4D打印过程中添加同步磁场，将形状记忆合金粉末与磁场和激光能量密度合理搭配，采用单向扫描策略和磁感线与扫描路径垂直的打印策略进行形状记忆合金的4D打印，最终获得层片结构形状记忆合金。本发明4D打印制备的层片结构形状记忆合金具有优异的功能特性，磁场添加方式简单，无需后处理即可调控微观结构，成本低，适合批量化和标准化生产，具有良好的推广应用场景。