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发明公开
在单晶硅上生长外延3C-SiC 无效

公开(公告)号：CN107849730A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042627.0

申请日：2016-07-22

Applicant: 华威大学

Inventor： M·米罗诺夫 , G·科尔斯顿 , S·黑德

IPC: C30B25/02 , C30B25/10 , C23C16/32 , C30B29/36

Abstract: 公开了一种用于在单晶硅上生长外延3C-SiC的方法。该方法包括在冷壁化学气相沉积反应器(7)中提供单晶硅基板(2)，将基板加热到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的温度，当基板处于所述温度时，将气体混合物(41)引入反应器中，所述气体混合物包括硅源前体(16)、碳源前体(18)和载气(24)，以在单晶硅上沉积3C-SiC的外延层(图1；4)。

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