公开(公告)号：CN115527855A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211314707.0

申请日：2022-10-25

Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司

Inventor： 郭东旭 ,  冯超 ,  马栋 ,  陆聪 ,  程洁 ,  李魁 ,  孙泽阳 ,  朱金妹

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括硅衬底，且所述硅衬底的上方形成有接触孔；于所述半导体结构的表面形成金属阻挡层；于所述金属阻挡层的表面形成钨层；于所述钨层的表面形成铝层或铝合金层；刻蚀所述接触孔以外区域预设范围内的所述金属阻挡层、所述钨层及所述铝层/所述铝合金层。通过本发明解决了现有的钨回刻及铝刻蚀的工艺流程中较大关键尺寸的接触孔易发生铝穿通的问题。

公开(公告)号：CN115910780A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310077549.X

申请日：2023-01-31

Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司

Inventor： 冯超 ,  李志国 ,  马栋 ,  谷志慧 ,  陆聪 ,  李魁 ,  郭东旭 ,  朱金妹

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请提供一种制造绝缘栅双极型晶体管(IGBT)时防止铝硅互溶的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底上形成有介质层，介质层中形成有接触孔；步骤S2，在衬底上依次沉积氮化钛膜层和氮化钽膜层；步骤S3，在衬底上沉积钨金属层，填满接触孔；步骤S4，回刻蚀钨金属层，以去除接触孔区域外的钨金属层；步骤S5，在衬底上沉积铝金属层。由氮化钛膜层和氮化钽膜层构成的叠层结构具有足够的强度，沉积铝金属层时，该叠层结构在接触孔的底侧位置(底部和侧壁的交界处)不会发生断裂，从而避免铝金属层在接触孔的底侧位置与衬底发生直接接触形成穿通缺陷，有效防止穿通缺陷导致的铝硅互溶的发生。