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公开(公告)号：CN104121857B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410364859.0
申请日：2014-07-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种存取数据时磁头飞行对磁盘表面润滑膜的影响的实时观测方法和装置，具有较大的观测范围。本发明可以模拟磁头读取数据时的完整过程，并且实现磁头从接触到离开磁盘完整过程的磁盘润滑膜的观测，从而快速精确地测量出在磁头飞行中磁盘表面润滑膜的厚度变化，改善了过去观测装置观测范围小的问题，可实现纳米级分辨力和160×160μm2范围的观测。本发明原理简单，操作简便，便于观测图像后期处理分析。
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公开(公告)号：CN104122209B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410359091.8
申请日：2014-07-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种为实时观测微晶硅薄膜生长设计的可视化观测系统及测量方法，有效地改善了传统偏振光显微镜进行观测时分辨率较低的缺陷。一种微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统，包括光源、针孔、起偏器、1/4波片、汇聚透镜、分光棱镜、垂直物镜、样品、载物台、检偏器、CCD相机、计算机。本发明有效地改善了传统薄膜厚度检测方法所面临的扫描问题，实现了薄膜的连续动态检测，提高了检测的效率和精度，分辨率高。此外，本发明提供的观测系统结构简单，方法简便易行，便于推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104122209A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410359091.8
申请日：2014-07-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种为实时观测微晶硅薄膜生长设计的可视化观测系统及测量方法，有效地改善了传统偏振光显微镜进行观测时分辨率较低的缺陷。一种微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统，包括光源、针孔、起偏器、1/4波片、汇聚透镜、分光棱镜、垂直物镜、样品、载物台、检偏器、CCD相机、计算机。本发明有效地改善了传统薄膜厚度检测方法所面临的扫描问题，实现了薄膜的连续动态检测，提高了检测的效率和精度，分辨率高。此外，本发明提供的观测系统结构简单，方法简便易行，便于推广。
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公开(公告)号：CN104121857A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410364859.0
申请日：2014-07-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种存取数据时磁头飞行对磁盘表面润滑膜的影响的实时观测方法和装置，具有较大的观测范围。本发明可以模拟磁头读取数据时的完整过程，并且实现磁头从接触到离开磁盘完整过程的磁盘润滑膜的观测，从而快速精确地测量出在磁头飞行中磁盘表面润滑膜的厚度变化，改善了过去观测装置观测范围小的问题，可实现纳米级分辨力和160×160μm2范围的观测。本发明原理简单，操作简便，便于观测图像后期处理分析。
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公开(公告)号：CN206420565U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201720044616.8
申请日：2017-01-16
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01J1/04
Abstract: 本实用新型公开了一种基于全自动太阳跟踪系统的散射辐射遮光装置，包含全自动太阳跟踪仪，其特征在于：还包含遮光装置、光电传感器、同步带传动装置、总辐射表，所述遮光装置包含遮光盘、遮光盘支撑杆和遮光杆；所述遮光盘通过遮光盘支撑杆固定在遮光杆上；所述光电传感器的光筒轴线与遮光杆的轴线平行，且所述光电传感器固定于遮光杆上；所述遮光杆通过同步带传动装置与全自动太阳跟踪仪的赤纬轴联动。本实用新型以总辐射表为球心，遮光盘以一定的半径绕总辐射表转动，在高度和方位两个方向的运动都以总辐射表的被遮光面的中心为转动轴心，其转动的方位和高度由全自动太阳跟踪系统确定。令总辐射表跟随跟踪仪绕时角轴转动，而遮光盘与跟踪仪联动绕赤纬轴转动。
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公开(公告)号：CN204007525U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420417660.5
申请日：2014-07-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种存取数据时磁头飞行对磁盘表面润滑膜的影响的实时观测装置，具有较大的观测范围。本实用新型可以模拟磁头读取数据时的完整过程，并且实现磁头从接触到离开磁盘完整过程的磁盘润滑膜的观测，从而快速精确地测量出在磁头飞行中磁盘表面润滑膜的厚度变化，改善了过去观测装置观测范围小的问题，可实现纳米级分辨力和160×160μm2范围的观测。本实用新型原理简单，操作简便，便于观测图像后期处理分析。
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公开(公告)号：CN204008436U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420414665.2
申请日：2014-07-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种为实时观测微晶硅薄膜生长设计的可视化观测系统，有效地改善了传统偏振光显微镜进行观测时分辨率较低的缺陷。一种微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统，包括光源、针孔、起偏器、1/4波片、汇聚透镜、分光棱镜、垂直物镜、样品、载物台、检偏器、CCD相机、计算机。本实用新型有效地改善了传统薄膜厚度检测方法所面临的扫描问题，实现了薄膜的连续动态检测，提高了检测的效率和精度，分辨率高。此外，本实用新型提供的观测系统结构简单，方法简便易行，便于推广。
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