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公开(公告)号：CN118555852A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410305712.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED，所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成，所述吸电子基为‑CN、‑COOMe、‑NO2、‑C3‑nFn,1≤n≤3中的一种或几种组合，所述吸电子基数量为1～3个。使用这些苯硼酸对QLED的ITO阳极玻璃表面进行处理，在ITO和空穴注入层之间构建新型SAM层，有助于提高ITO表面功函数，平衡发光器件的缺陷和功函数，提高发光器件的亮度和外量子效率。
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公开(公告)号：CN118234275A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410350180.X
申请日：2024-03-26
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种基于路易斯酸钝化法实现叠层式Micro‑LED光学引擎的制备方法，包括Micro‑LED芯片阵列、投影镜头和屏幕。所述Micro‑LED芯片阵列为垂直堆叠的芯片结构，由半导体衬底、第一外延层、第二外延层以及封装膜构成。本发明第一外延层的发光层由两个并列的蓝光和绿光钙钛矿量子点组成，在第一外延层之上的第二外延层由红光钙钛矿量子点和蓝光、绿光增透膜构成。本发明采用钙钛矿量子点作为发光芯片，通过路易斯酸钝化法实现全可见光区域范围发光的叠层式Micro‑LED投影，达到提高发光效率的目的。同时可解决现有技术中RGB三原色芯片并排布置导致单个像素点面积较大问题，有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118175864A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410287309.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/115 , H10K85/50 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED及其制备方法，属于半导体技术领域；一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED由上至下依次包括：分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED、CMOS集成电路基板；GaN蓝光发光单元包括多个蓝光LED像素点，并集成于CMOS集成电路基板上；量子点色转换单元由下至上依次包括：玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜；钙钛矿量子点层的发光材料为ABBr3‑Ni(AcO)2；其中，A为机官能团MA+、Cs+、Na+或Rb+，B为Pb2+、Ge2+、Sn2+或Cu2+；从而实现更为简单的制备工艺和更加稳定的器件性能。
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公开(公告)号：CN118658943A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410951284.6
申请日：2024-07-16
Applicant: 南京信息工程大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明提供一种基于非铅钙钛矿的Micro‑LED芯片及其制备方法，所采用的发光材料的化学式结构为AB2X3、A2BX4、A3B2X5、A4BX6中的一种，A位为一价金属阳离子或有机官能团，B位为过渡金属中的二价阳离子或Cu+，X位为卤族离子。不同于传统的Micro‑LED芯片，本发明采用非铅钙钛矿发光二极管器件可以提高发光效率和色纯度，同时避免了传统Micro‑LED中铅基钙钛矿材料的污染性，并达到降低生产成本的目的。本发明采用主动发光的蓝光非铅钙钛矿激发红色和绿色发光，进一步提高了器件的发光效率。本发明还利用冠醚类化合物的环状结构使其能够与金属或有机阳离子配位形成稳定的配位复合物，通过钝化缺陷和优化薄膜形貌，有效降低钙钛矿薄膜的非辐射复合率，从而进一步提高发光效率。
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