-
公开(公告)号：CN114899703A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210437910.0
申请日：2022-04-25
Applicant: 南京信息职业技术学院
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明公开一种基于硅衬底的悬浮GaN微盘及其制备方法，包括谐振腔和输出波导，所述谐振腔为多边形，所述谐振腔的每个顶角或相邻的两个顶角分别连接所述输出波导。所述谐振腔为正六边形谐振腔。利用Si基外延片制备GaN微盘，所有制备过程与硅集成工艺兼容。可制备的微盘结构种类多，可应用于不同尺寸的微盘的制备。本发明采用光刻‑干法刻蚀相结合的工艺制备微盘，工艺简单，鲁棒性强。微盘底部的硅衬底被全部腐蚀掉，避免了谐振腔中的光学模式从硅衬底泄漏，提高了谐振腔的光限制能力。微盘与输出波导直接连接，能够实现谐振腔与输出波导的直接耦合，推动片上光互连技术的发展。
Search Results
1
records
(took 0.03 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
