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公开(公告)号:CN114769578A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202210373659.6
申请日:2022-04-11
Applicant: 南京信息职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的银纳米线及其制备方法和应用,所述银纳米线,包括银纳米线核层和包覆于银纳米线核层外侧的聚合物壳层,且所述聚合物壳层中掺杂有银纳米粒子。所述制备方法为通过共混一步多元醇作为溶剂和还原剂,在PVP和Cl‑离子存在条件下,将银源反应物经液相还原反应制备成银纳米线。本发明制备成本低廉、制备方法简单,掺杂在聚合物壳层中的银纳米粒子诱导强化了纳米线网络导电性随脉冲电压时序变化而变化的行为,具有双脉冲易化,非线性响应,动态衰减特点等忆阻特性,利用银纳米线制备过程中自发掺入PVP层中的银纳米粒子作为银迁移扩散的“岛桥”,能够加快非线性动态衰减速度,提高储备池计算系统的储层规模。
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公开(公告)号:CN114769578B
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202210373659.6
申请日:2022-04-11
Applicant: 南京信息职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的银纳米线及其制备方法和应用,所述银纳米线,包括银纳米线核层和包覆于银纳米线核层外侧的聚合物壳层,且所述聚合物壳层中掺杂有银纳米粒子。所述制备方法为通过共混一步多元醇作为溶剂和还原剂,在PVP和Cl‑离子存在条件下,将银源反应物经液相还原反应制备成银纳米线。本发明制备成本低廉、制备方法简单,掺杂在聚合物壳层中的银纳米粒子诱导强化了纳米线网络导电性随脉冲电压时序变化而变化的行为,具有双脉冲易化,非线性响应,动态衰减特点等忆阻特性,利用银纳米线制备过程中自发掺入PVP层中的银纳米粒子作为银迁移扩散的“岛桥”,能够加快非线性动态衰减速度,提高储备池计算系统的储层规模。
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