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公开(公告)号：CN116698203A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310699741.2
申请日：2023-06-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种脉宽复用SNSPD阵列电路、芯片及其制备方法和应用，脉宽复用SNSPD阵列包括若干依次串联的探测器单元，输入端经依次串联的探测器单元后连接至输出端，所述探测器单元包括纳米线探测器、电感和并联电阻，所述纳米线探测器和所述电感串联后与所述并联电阻并联，所述电感按照串联顺序依次增大，且使得任意同等数量的纳米线探测器同时响应时，所述输出端输出的响应信号脉冲宽度都不相同。本发明易于扩展且能够应对多像元同时响应。
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公开(公告)号：CN116075207A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310032119.6
申请日：2023-01-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超导纳米集成电路的无损制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：首先在基底上生长出超薄过渡金属薄膜；接着利用电子束曝光和反应离子刻蚀得到超导金属薄膜的纳米集成电路器件；随后利用拓扑化学转化法原位将金属薄膜纳米器件转变成二维超导薄膜的纳米集成器件；最后在器件上生长一层绝缘材料即可得到二维超导纳米集成电路。本发明有效避免了传统微纳加工流程对低维材料的损伤作用，实现对多种低维材料器件的无损制备。同时，利用本方案可以实现多种器件结构制备，进而进行调控器件的性能。
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公开(公告)号：CN116981342A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310955981.4
申请日：2023-08-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有光子能量分辨的界面超导探测器及其制备方法和应用，该界面超导探测器是利用脉冲激光沉积技术在钽酸钾基底上生长一层非晶LAO薄膜，再利用光刻制备出所需的图案，接着利用离子束刻蚀制备多余的薄膜，最后通过剥离工艺得到的界面超导器件。本发明利用了界面超导材料(LAO/KTO)制备出了首个界面超导光电探测器件，并基于此器件验证了该种探测器件具有光子能量分辨能力，并且该种能量分辨能力不依赖于波长，为今后制备可见光至中远红外波段的能量分辨器件提供了可行性的方向。
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公开(公告)号：CN116913605A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310792145.9
申请日：2023-06-30
Applicant: 南京大学
IPC: H01B12/00
Abstract: 本发明一种范德华自外延精准生长英寸级二硒化铌(NbSe2)超导薄膜的方法及产品和应用。该发明通过控制升温速率精确控制反应氛围，采用铌酸铵草酸盐水合物作为铌前驱体，在高温退火过程中先在铌前驱体膜表面形成Nb2Se9中间物，在更高温度分解为NbSe2自上而下外延诱导生成NbSe2薄膜。本发明生长机制克服了衬底晶相对NbSe2晶体的外延诱导作用，可在任意衬底上获得高质量的NbSe2超导薄膜。本发明实现了英寸级NbSe2超导薄膜在任意衬底上的制备，制得的高质量的NbSe2薄膜表现出较高的超导性能，可应用于超导材料及红外探测器件制备中。
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公开(公告)号：CN119365061A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411436304.2
申请日：2024-10-15
Abstract: 本发明公开了一种非晶钨超导纳米线单光子探测器，包括光敏部件，光敏部件为非晶钨超导纳米线；非晶钨超导纳米线非晶钨超导纳米线通过以下步骤制备得到：(1)在衬底上生长非晶钨薄膜；(2)利用电子束曝光和反应离子刻蚀法将非晶钨膜刻蚀成迂回纳米线结构，得到非晶钨超导纳米线。本发明采用稳定性好的钨纳米线作为SNSPD的主体材料，提高了SNSPD制备工艺的鲁棒性，延长了SNSPD器件的实际应用中的使用寿命。
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