公开(公告)号：CN101132042A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710132145.7

申请日：2007-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  董恒平 ,  王旦清 ,  李伟 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  徐岭 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5－1之间，薄膜厚度60－100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：在衬底温度为95－105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a－SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10－30min；形成富硅的掺氧a－SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。

公开(公告)号：CN100555692C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710132145.7

申请日：2007-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  董恒平 ,  王旦清 ,  李伟 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  徐岭 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5-1之间，薄膜厚度60-100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a-SiNx)薄膜：在衬底温度为95-105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a-SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10-30min；形成富硅的掺氧a-SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。