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公开(公告)号：CN110515157B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910824614.4
申请日：2019-09-02
Applicant: 南京大学(苏州)高新技术研究院
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种片上集成窄线宽反射器波导及其反射器，其中波导包括：多模波导，所述多模波导上依次以串联的方式制作有相移反对称布拉格光栅和均匀布拉格光栅；其中，所述多模波导支持横向电场基模和一阶模；所述相移反对称布拉格光栅的相移值为0～2π。利用本发明提供的波导制作的片上集成窄线宽反射器具有反射率较高、尺寸较小、线宽较窄等优点，综合性能好。
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公开(公告)号：CN108493763B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810148414.7
申请日：2018-02-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法，解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置，包含有源层、缓冲层，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；电隔离位于相邻的P电极之间；大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于P电极下方，大啁啾光栅中均匀插入相移，相移个数与P电极个数相同，每个相移对应1个P电极，大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；有源层位于大啁啾光栅下方；缓冲层位于有源层下方；N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。
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公开(公告)号：CN108493763A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810148414.7
申请日：2018-02-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法，解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置，包含有源层、缓冲层，还包含：P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极；电隔离位于相邻的P电极之间；大啁啾光栅为线性啁啾光栅，位于P电极下方，大啁啾光栅中均匀插入相移，相移个数与P电极个数相同，每个相移对应1个P电极，大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔，多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应；有源层位于大啁啾光栅下方；缓冲层位于有源层下方；N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。
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公开(公告)号：CN111969413B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010709275.8
申请日：2020-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种宽条形半导体激光器及其制作方法、倾斜取样光栅制作方法，解决现有宽条形半导体激光器激射功率低且波长精度差的问题。所述宽条形半导体激光器，包含：条形波导、倾斜取样光栅；所述宽条形半导体激光器的上、下波导层为所述条形波导，光栅材料层为所述倾斜取样光栅；所述条形波导为宽条形平板波导，波导宽度大于等于170微米；所述倾斜取样光栅，在均匀基本光栅上叠印倾斜取样图案制作而成。所述宽条形半导体激光器的制作方法用于所述激光器。所述倾斜取样光栅制作方法用于制作所述宽条形半导体激光器的倾斜取样光栅。本发明实现了高功率高精度的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN108155557A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711421289.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种半导体激光器和控制方法，解决可调谐多波长激光器长度过长、质量不可靠的问题。半导体激光器包括光栅区域、相移结构；光栅区域以串联的方式制作在同一激光器芯片上；每个所述光栅区域内光栅周期不变，不同光栅区域的光栅周期沿激光器芯片呈递增或递减变化；任意两个相邻的所述光栅区域注入电流用于产生单模激光发射；相邻的光栅区域间存在相移结构，相移值在0°至360°范围内，一般为π。本发明还包含半导体激光器控制方法，包括以下步骤：向任意两个相邻的光栅区域注入高于阈值的工作电流，其余光栅区域的工作电流为透明电流，产生单模激光发射；改变光栅区域的温度、工作电流，对所述单模激光发射进行调谐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155557B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201711421289.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种半导体激光器和控制方法，解决可调谐多波长激光器长度过长、质量不可靠的问题。半导体激光器包括光栅区域、相移结构；光栅区域以串联的方式制作在同一激光器芯片上；每个所述光栅区域内光栅周期不变，不同光栅区域的光栅周期沿激光器芯片呈递增或递减变化；任意两个相邻的所述光栅区域注入电流用于产生单模激光发射；相邻的光栅区域间存在相移结构，相移值在0°至360°范围内，一般为π。本发明还包含半导体激光器控制方法，包括以下步骤：向任意两个相邻的光栅区域注入高于阈值的工作电流，其余光栅区域的工作电流为透明电流，产生单模激光发射；改变光栅区域的温度、工作电流，对所述单模激光发射进行调谐。
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公开(公告)号：CN108471046A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810456170.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种半导体激光器和控制方法，所述半导体激光器包括光栅区域、增益区域；光栅区域的数量至少为2个，以串联的方式制作在同一激光器芯片上；每个光栅区域内光栅周期不变，不同光栅区域的光栅周期沿激光器芯片呈递增或递减变化；相邻的光栅区域间包含一增益区域。本发明还包含半导体激光器控制方法：向任意一个有源区域注入高于阈值的工作电流，其余有源区域注入透明电流，产生单模激光发射；调整所述注入工作电流的有源区域相邻的光栅区域的调谐电流，改变所述单模激光的波长。本发明解决可调谐半导体激光器技术调谐范围低、成本高、可生产性和可靠性低的问题。
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公开(公告)号：CN111969413A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010709275.8
申请日：2020-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种宽条形半导体激光器及其制作方法、倾斜取样光栅制作方法，解决现有宽条形半导体激光器激射功率低且波长精度差的问题。所述宽条形半导体激光器，包含：条形波导、倾斜取样光栅；所述宽条形半导体激光器的上、下波导层为所述条形波导，光栅材料层为所述倾斜取样光栅；所述条形波导为宽条形平板波导，波导宽度大于等于170微米；所述倾斜取样光栅，在均匀基本光栅上叠印倾斜取样图案制作而成。所述宽条形半导体激光器的制作方法用于所述激光器。所述倾斜取样光栅制作方法用于制作所述宽条形半导体激光器的倾斜取样光栅。本发明实现了高功率高精度的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN108471046B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810456170.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出一种半导体激光器和控制方法，所述半导体激光器包括光栅区域、增益区域；光栅区域的数量至少为2个，以串联的方式制作在同一激光器芯片上；每个光栅区域内光栅周期不变，不同光栅区域的光栅周期沿激光器芯片呈递增或递减变化；相邻的光栅区域间包含一增益区域。本发明还包含半导体激光器控制方法：向任意一个有源区域注入高于阈值的工作电流，其余有源区域注入透明电流，产生单模激光发射；调整所述注入工作电流的有源区域相邻的光栅区域的调谐电流，改变所述单模激光的波长。本发明解决可调谐半导体激光器技术调谐范围低、成本高、可生产性和可靠性低的问题。
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公开(公告)号：CN110515157A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910824614.4
申请日：2019-09-02
Applicant: 南京大学(苏州)高新技术研究院
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种片上集成窄线宽反射器波导及其反射器，其中波导包括：多模波导，所述多模波导上依次以串联的方式制作有相移反对称布拉格光栅和均匀布拉格光栅；其中，所述多模波导支持横向电场基模和一阶模；所述相移反对称布拉格光栅的相移值为0～2π。利用本发明提供的波导制作的片上集成窄线宽反射器具有反射率较高、尺寸较小、线宽较窄等优点，综合性能好。
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