公开(公告)号：CN105161977A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510644999.8

申请日：2015-10-08

Applicant: 南京大学(苏州)高新技术研究院

Inventor： 刘胜平 ,  陈向飞 ,  陆骏

IPC: H01S5/12

Abstract: 本发明公开了一种非对称相移和切趾取样光栅及DFB激光器。该方案中取样光栅是基于重构-等效啁啾技术设计与制造，即，取样光栅中的非对称相移是通过在取样光栅结构中引入等效相移，并将等效相移的位置放在DFB半导体激光器的腔的长度的55％～75％区域内，靠近激光器出光一端；切趾是通过在等效相移区两侧制作对称的齿深逐渐变化的光栅来改变光栅的耦合系数而实现的。在本方案中，相移的偏移可以有效增加DFB半导体激光器的出光功率，光栅的齿深变化实现的切趾效应可以有效降低相移区附近的折射率调制强度，有效减弱了空间烧孔效应。总体上，本发明提出的结构有效的提高了DFB半导体激光器的出光功率，保证了大功率工作条件下的单纵模特性。

公开(公告)号：CN105207055A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510644601.0

申请日：2015-10-08

Applicant: 南京大学(苏州)高新技术研究院

Inventor： 刘胜平 ,  陈向飞 ,  陆骏

IPC: H01S5/12

Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅及DFB激光器。所述取样光栅中含有通过重构-等效啁啾技术引入的相移，相移位于整个取样光栅中心的+/-5％区域范围内，相移被引入了除0级之外的所有影子光栅中；取样光栅中的切趾是通过先在衬底上制作金属镍为掩膜的取样光栅结构，再经过光刻和干法刻蚀这两步工艺的多次重复制作光栅齿深逐渐变化的取样光栅结构实现的，半边切趾是指只改变取样光栅一侧的光栅齿深变化，即DFB半导体激光器出光端一侧；等效相移区和另外一侧的光栅齿深均采用最大值。所述的DFB半导体激光器中含有上面制作的基于重构-等效啁啾技术的半边切趾取样光栅。