一种低温烧结、低损耗的BaO-CeO2-TiO2系微波介质陶瓷

    公开(公告)号:CN101575208B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200910033082.9

    申请日:2009-06-11

    Abstract: 本发明涉及一种低温烧结、低损耗的BaO-CeO2-TiO2系微波介质陶瓷。其制备步骤为:将原料BaCO3、CeO2和TiO2按BaO-CeO2-TiO2摩尔比为1∶1∶1~4混合球磨,预烧处理后二次球磨,加入粘结剂,研磨造粒压制成型,在1180℃~1300℃烧结成瓷;本发明所制备的介质陶瓷的介电常数εr为30~80,品质因数Q为5000~20000。利用本发明提供的微波介质陶瓷,可使介质谐振器与滤波器等适用于特定的微波频段和更大功率的应用,又该材料的低温烧结特性达到降低能耗和工业规模化生产需求。因此,本发明在工业上有极大的应用价值。

    一种复合掺杂改性的Y2Ti2O7微波介质陶瓷材料

    公开(公告)号:CN102153342A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201010607229.3

    申请日:2010-12-27

    Abstract: 本发明涉及一种复合掺杂改性的Y2Ti2O7微波介质陶瓷材料及其制备方法,其特征在于其原料为Y2O3、TiO2、M2O3、Bi2O3和Nb2O5,所述微波介质陶瓷材料的组成为:以Y2Ti2O7为基体,M2O3、Bi2O3和Nb2O5为掺杂氧化物,其中以Y2Ti2O7为基准,M2O3掺杂的摩尔量为0.2~2%;Bi2O3掺杂的摩尔量为3~10%;Nb2O5掺杂的摩尔量为0.2~2%;其中M位La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd或Dy中的一种。本发明通过复合掺杂改性后介电性能得到了改善,介电常数εr由54变为60~80,Qf值由6565GHz变为9000~25000GHz,且烧结温度降低(1350℃~1380℃),节约了能源和提高了实用性。

    一种低温烧结、低损耗的BaO-CeO2-TiO2系微波介质陶瓷

    公开(公告)号:CN101575208A

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:CN200910033082.9

    申请日:2009-06-11

    Abstract: 本发明涉及一种低温烧结、低损耗的BaO-CeO2-TiO2系微波介质陶瓷。其制备步骤为:将原料BaCO3、CeO2和TiO2按BaO-CeO2-TiO2摩尔比为1∶1∶1~4混合球磨,预烧处理后二次球磨,加入粘结剂,研磨造粒压制成型,在1180℃~1300℃烧结成瓷;本发明所制备的介质陶瓷的介电常数εr为30~80,品质因数Q为5000~20000。利用本发明提供的微波介质陶瓷,可使介质谐振器与滤波器等适用于特定的微波频段和更大功率的应用,又该材料的低温烧结特性达到降低能耗和工业规模化生产需求。因此,本发明在工业上有极大的应用价值。

    一种复合掺杂改性的Y2Ti2O7微波介质陶瓷材料

    公开(公告)号:CN102153342B

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201010607229.3

    申请日:2010-12-27

    Abstract: 本发明涉及一种复合掺杂改性的Y2Ti2O7微波介质陶瓷材料及其制备方法,其特征在于其原料为Y2O3、TiO2、M2O3、Bi2O3和Nb2O5,所述微波介质陶瓷材料的组成为:以Y2Ti2O7为基体,M2O3、Bi2O3和Nb2O5为掺杂氧化物,其中以Y2Ti2O7为基准,M2O3掺杂的摩尔量为0.2~2%;Bi2O3掺杂的摩尔量为3~10%;Nb2O5掺杂的摩尔量为0.2~2%;其中M位La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd或Dy中的一种。本发明通过复合掺杂改性后介电性能得到了改善,介电常数εr由54变为60~80,Qf值由6565GHz变为9000~25000GHz,且烧结温度降低(1350℃~1380℃),节约了能源和提高了实用性。

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