公开(公告)号：CN116332632B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310379561.6

申请日：2023-04-11

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王丽熙 ,  冯夏 ,  朱海奎 ,  侯翼 ,  张其土

IPC: C04B35/12 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种兼容吸收的多光谱抑制陶瓷材料的制备方法。具体步骤为:根据所设置的摩尔质量比，加入氧化钐和氧化铬粉体作为基体材料，再加入金属氧化物作为添加材料，充分研磨后，使其颜色均一；将预处理后的铬酸钐粉体，经过高温煅烧，自然冷却获得铬酸钐晶相；将含铬酸钐晶相的粉体研磨后，制成致密陶瓷片，通过二次煅烧，自然冷却后，获得多光谱抑制陶瓷材料。本发明制备工艺简单，所制得的陶瓷材料在保持绿峰的同时又能保证1064nm处有着较低的反射率，具有十分广泛的实际应用价值。

公开(公告)号：CN116332632A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310379561.6

申请日：2023-04-11

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王丽熙 ,  冯夏 ,  朱海奎 ,  侯翼 ,  张其土

IPC: C04B35/12 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种兼容吸收的多光谱抑制陶瓷材料的制备方法。具体步骤为:根据所设置的摩尔质量比，加入氧化钐和氧化铬粉体作为基体材料，再加入金属氧化物作为添加材料，充分研磨后，使其颜色均一；将预处理后的铬酸钐粉体，经过高温煅烧，自然冷却获得铬酸钐晶相；将含铬酸钐晶相的粉体研磨后，制成致密陶瓷片，通过二次煅烧，自然冷却后，获得多光谱抑制陶瓷材料。本发明制备工艺简单，所制得的陶瓷材料在保持绿峰的同时又能保证1064nm处有着较低的反射率，具有十分广泛的实际应用价值。