低温快速烧成高频低损耗玻璃陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN101298368B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200810124200.2

    申请日:2008-06-17

    Abstract: 本发明涉及一种低温快速烧成高频低损耗玻璃陶瓷及其制备方法,该玻璃陶瓷由硅硼、硼硅酸盐玻璃、成核剂和粘结剂烧结而成。用本发明配料,能实现钙硅硼、硼硅酸盐玻璃的低温熔制,玻璃料可在680℃左右烧结,烧结体介电性能优良(εr为6~8,tanδ<0.0005 25MHz)。

    一种快速陶瓷化耐火电缆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101404189B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200810236176.1

    申请日:2008-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种快速陶瓷化耐火电缆料及其制备方法,本发明的陶瓷化耐火电缆料原料的组成为(重量份):乙烯—醋酸乙烯酯共聚物60~70,聚乙烯30~40份,成瓷填料50~100份,偶联剂0.5~2.5份,阻燃剂A80~100份,阻燃剂B10~20份,润滑剂1~2份,抗氧剂1~3份。该电缆料的制备工艺包括:成瓷填料的表面处理,配料,混合,造粒,干燥等步骤。该耐火电缆料是一种聚合物基复合材料,在通常的环境下和普通的挤出电缆绝缘材料表现的行为相同,即具有良好的加工性能且方便施工,在750℃及更高温度下,该电缆料能够在10分钟内瓷化,瓷化物可保证线路在750~950℃下正常运行超过90min。

    低温快速烧成高频低损耗玻璃陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN101298368A

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200810124200.2

    申请日:2008-06-17

    Abstract: 本发明涉及一种低温快速烧成高频低损耗玻璃陶瓷及其制备方法,该玻璃陶瓷由硅硼、硼硅酸盐玻璃、成核剂和粘结剂烧结而成。用本发明配料,能实现钙硅硼、硼硅酸盐玻璃的低温熔制,玻璃料可在680℃左右烧结,烧结体介电性能优良(εr为6~8,tanδ<0.0005 25MHz)。

    一种快速陶瓷化耐火电缆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101404189A

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200810236176.1

    申请日:2008-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种快速陶瓷化耐火电缆料及其制备方法,本发明的陶瓷化耐火电缆料原料的组成为(重量份):乙烯-醋酸乙烯酯共聚物60~70份,聚乙烯30~40份,成瓷填料50~100份,偶联剂0.5~2.5份,阻燃剂A80~100份,阻燃剂B10~20份,润滑剂1~2份,抗氧剂1~3份。该电缆料的制备工艺包括:成瓷填料的表面处理,配料,混合,造粒,干燥等步骤。该耐火电缆料是一种聚合物基复合材料,在通常的环境下和普通的挤出电缆绝缘材料表现的行为相同,即具有良好的加工性能且方便施工,在750℃及更高温度下,该电缆料能够在10分钟内瓷化,瓷化物可保证线路在750~950℃下正常运行超过90min。

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