低介电损耗的微波复合介质材料及制备方法

    公开(公告)号:CN105347788A

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201510777160.1

    申请日:2015-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种低介电损耗的微波复合介质材料及制备方法;其特征在于其原料组分及各组分占原料总量的质量分数分别为:SrnCa1-nTiO3 45~55wt%,钛酸酯偶联剂0.6~0.75wt%,SiO2 2~8wt%,硅烷偶联剂0.03~0.12wt%,PTFE 34~40wt%,无碱短波纤6~8wt%;微波复合介质材料的介电常数εr为6~13,介电损耗tanδ为0.002~0.004,线性热膨胀系数为12~20ppm/℃。用偶联剂分别对陶瓷填料SrnCa1-nTiO3和SiO2进行改性处理,再和聚四氟乙烯和无碱短波纤混合球磨,烘干,过筛,成型,烧结。本发明所制备的聚四氟乙烯基微波复合介质材料具有适当的介电常数、低介电损耗、与铜匹配的线性热膨胀系数等特点。同时,制备工艺简单、成本较低。

    低介电损耗的微波复合介质材料及制备方法

    公开(公告)号:CN105347788B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201510777160.1

    申请日:2015-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种低介电损耗的微波复合介质材料及制备方法;其特征在于其原料组分及各组分占原料总量的质量分数分别为:SrnCa1‑nTiO3 45~55wt%,钛酸酯偶联剂0.6~0.75wt%,SiO2 2~8wt%,硅烷偶联剂0.03~0.12wt%,PTFE 34~40wt%,无碱短波纤6~8wt%;微波复合介质材料的介电常数εr为6~13,介电损耗tanδ为0.002~0.004,线性热膨胀系数为12~20ppm/℃。用偶联剂分别对陶瓷填料SrnCa1‑nTiO3和SiO2进行改性处理,再和聚四氟乙烯和无碱短波纤混合球磨,烘干,过筛,成型,烧结。本发明所制备的聚四氟乙烯基微波复合介质材料具有适当的介电常数、低介电损耗、与铜匹配的线性热膨胀系数等特点。同时,制备工艺简单、成本较低。

Patent Agency Ranking