中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

7 records (took 0.026 seconds)

    一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件及其制造方法
    2.
    发明公开
    一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN104701381A

    公开(公告)日：2015-06-10

    申请号：CN201510095284.1

    申请日：2015-03-03

    Applicant: 南京邮电大学

    Inventor： 俞露露 ,  成建兵 ,  刘雪松 ,  袁晴雯

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28

    CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/28026 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7801

    Abstract: 本发明公开了一种具有P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件及其制造方法，本发明创新之处在于，用RESURF结构与二维超结结构相结合的漂移区代替常规LDMOS的单一轻掺杂漂移区。如图所示，靠近源极的一侧采用二维横向超结结构，靠近漏极一侧采用RESURF结构。本发明又将变掺杂的思想引入新结构，将漂移区超结中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极到漏极逐渐降低。新型的P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区的电荷，提高器件击穿电压的同时保持了器件好的导通电阻特性。本发明的思想是从体内调制表面和体内电场，并且体内调制还有不会在表面形成场的突变的优点，因此，热载流子不容易进入其上的场氧中，如此则提高了场氧的可靠性，进而提高了器件的可靠性。此外，新结构工艺简单，可进一步降低生产成本。

    一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件
    5.
    实用新型
    一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURFLDMOS器件 失效 许可

    公开(公告)号：CN204391120U

    公开(公告)日：2015-06-10

    申请号：CN201520124979.3

    申请日：2015-03-03

    Applicant: 南京邮电大学

    Inventor： 俞露露 ,  成建兵 ,  刘雪松 ,  袁晴雯

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28

    Abstract: 本实用新型公开了一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件，本实用新型创新之处在于，用RESURF结构与二维超结结构相结合的漂移区代替常规LDMOS的单一轻掺杂漂移区。如图所示，靠近源极的一侧采用二维横向超结结构，靠近漏极一侧采用RESURF结构。本实用新型又将变掺杂的思想引入新结构，将漂移区超结中的P柱区进行阶梯掺杂，掺杂浓度由源极到漏极逐渐降低。新型的P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS结构可以消除衬底辅助耗尽效应，平衡漂移区的电荷，提高器件击穿电压的同时保持了器件好的导通电阻特性。本实用新型的思想是从体内调制表面和体内电场，并且体内调制还有不会在表面形成场的突变的优点，因此，热载流子不容易进入其上的场氧中，如此则提高了场氧的可靠性，进而提高了器件的可靠性。此外，新结构制造工艺简单，可进一步降低生产成本。

    一种阳极抬高的LIGBT器件
    6.
    实用新型
    一种阳极抬高的LIGBT器件 失效 许可

    公开(公告)号：CN204680673U

    公开(公告)日：2015-09-30

    申请号：CN201520370037.3

    申请日：2015-06-01

    Applicant: 南京邮电大学

    Inventor： 成建兵 ,  刘雪松 ,  俞露露 ,  陈旭东 ,  郭厚东 ,  滕国兵

    IPC: H01L29/08 ,  H01L29/739

    Abstract: 本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性；另外一方面也可以减小器件的横向尺寸面积。

Patent Agency Ranking