公开(公告)号：CN113782591A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111060863.4

申请日：2021-09-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  何泳辰 ,  吴佳艺 ,  喻世航 ,  郭宇锋 ,  李曼

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种介质增强横向超结功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明包括衬底和位于衬底上方的有源层，有源层包括漂移区，漂移区内设有介质区。本发明通过在漂移区内部引入介质区，通过合理的设置介质区的位置、宽度变化及长度，能够有效地缓解横向超结功率器件中P型半导体柱和N型半导体柱相互耗尽导致的电荷非平衡现象。同时利用介质区对漂移区的调制作用，优化器件的电场分布而提高器件的击穿电压，并优化漂移区浓度而降低器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN113782591B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202111060863.4

申请日：2021-09-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  何泳辰 ,  吴佳艺 ,  喻世航 ,  郭宇锋 ,  李曼

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种介质增强横向超结功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明包括衬底和位于衬底上方的有源层，有源层包括漂移区，漂移区内设有介质区。本发明通过在漂移区内部引入介质区，通过合理的设置介质区的位置、宽度变化及长度，能够有效地缓解横向超结功率器件中P型半导体柱和N型半导体柱相互耗尽导致的电荷非平衡现象。同时利用介质区对漂移区的调制作用，优化器件的电场分布而提高器件的击穿电压，并优化漂移区浓度而降低器件的导通电阻。