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公开(公告)号：CN114758621B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210517656.5
申请日：2022-05-13
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/3225 , G09G3/36
Abstract: 单路斜坡型模拟像素驱动电路及其驱动方法，属于集成电路技术的硅基显示芯片电路应用领域。由数字信号锁存器、计数器、使能数字信号比较器、斜坡信号放大器、斜坡信号传输门、像素寻址存储电路、模拟显示放大器、模拟显示传输门、像素模拟信号输出电极、连接的信号线以及包括四段波型斜坡信号的驱动方法组成，具备数模转换功能，且该电路结构上为每条列显示模拟信号线配置的双管共漏放大器隔断了各列显示模拟信号线之间的电信号串扰，该电路的驱动方法将同一像素电路内寻址采样模拟信号电平的行为与显示驱动输出模拟信号电平的行为分配在不同时间段发生，从时序上避免了这两种行为之间发生冲突而导致的电信号互扰现象。
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公开(公告)号：CN112946933A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110337841.1
申请日：2021-03-30
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G09G3/36
Abstract: 配置PMOS放大器可测模拟型硅基液晶显示芯片像素电路及其驱动方法，属于集成电路技术的硅基显示芯片集成电路应用领域，由10个MOS晶体管、2个MIM电容器、1个寄生电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素电路，其达到的效果一是在每一个像素单元电路中设置了第1模拟电平线、第2模拟电平线分别与像素输出电极之间的可控制连通路径，实现了测试每一个像素输出电平的功能；二是在同一像素单元中配置共漏放大器可以避免输入信号存储MIM电容器与像素输出电极寄生电容器之间发生串扰现象；三是构成的像素单元电路，做到完全与常规2.5V～6.5V的MOS半导体芯片生产工序相匹配。
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公开(公告)号：CN114743518B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210517668.8
申请日：2022-05-13
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 双路对称斜坡型模拟像素驱动电路及其驱动方法，属于集成电路技术领域，由数字信号锁存器、计数器、使能数字信号比较器、正斜坡信号放大器、正斜坡信号传输门、像素正寻址存储电路、正模拟显示放大器、正模拟显示传输门、负斜坡信号放大器、负斜坡信号传输门、像素负寻址存储电路、负模拟显示放大器、负模拟显示传输门、像素输出电极电路、连接的信号线以及包括双路对称四段波型斜坡信号的驱动方法组成，具备数模转换功能，且不仅将同一像素电路内寻址采样模拟信号电平的行为与显示驱动输出模拟信号电平的行为分配在不同时间段发生，从时序上避免了这两种行为之间发生冲突而导致的电信号互扰现象，而且能够交替输出一对模拟电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114758621A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210517656.5
申请日：2022-05-13
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/3225 , G09G3/36
Abstract: 单路斜坡型模拟像素驱动电路及其驱动方法，属于集成电路技术的硅基显示芯片电路应用领域。由数字信号锁存器、计数器、使能数字信号比较器、斜坡信号放大器、斜坡信号传输门、像素寻址存储电路、模拟显示放大器、模拟显示传输门、像素模拟信号输出电极、连接的信号线以及包括四段波型斜坡信号的驱动方法组成，具备数模转换功能，且该电路结构上为每条列显示模拟信号线配置的双管共漏放大器隔断了各列显示模拟信号线之间的电信号串扰，该电路的驱动方法将同一像素电路内寻址采样模拟信号电平的行为与显示驱动输出模拟信号电平的行为分配在不同时间段发生，从时序上避免了这两种行为之间发生冲突而导致的电信号互扰现象。
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公开(公告)号：CN112946932B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110337811.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G09G3/00 , G09G3/36
Abstract: 配置NMOS放大器可测模拟型硅基液晶显示芯片像素电路及其驱动方法，属于集成电路技术的硅基显示芯片集成电路应用领域，由10个MOS晶体管、2个MIM电容器、1个寄生电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素电路，像素输出电极寄生电容器采用工作电压在2.5V～6.5V范围的MOS管、MIM电容器、像素输出电极组成，且像素输出电极的面积不少于像素电路占用硅基面积的85％。本发明的效果是，实现了测试每一个像素输出电平的功能、避免输入信号存储MIM电容器与像素输出电极寄生电容器之间发生串扰现象、做到完全与常规2.5V～6.5V的MOS半导体芯片生产工序相匹配。
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公开(公告)号：CN112946932A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110337811.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G09G3/00 , G09G3/36
Abstract: 配置NMOS放大器可测模拟型硅基液晶显示芯片像素电路及其驱动方法，属于集成电路技术的硅基显示芯片集成电路应用领域，由10个MOS晶体管、2个MIM电容器、1个寄生电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素电路，像素输出电极寄生电容器采用工作电压在2.5V～6.5V范围的MOS管、MIM电容器、像素输出电极组成，且像素输出电极的面积不少于像素电路占用硅基面积的85％。本发明的效果是，实现了测试每一个像素输出电平的功能、避免输入信号存储MIM电容器与像素输出电极寄生电容器之间发生串扰现象、做到完全与常规2.5V～6.5V的MOS半导体芯片生产工序相匹配。
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公开(公告)号：CN114743518A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210517668.8
申请日：2022-05-13
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 双路对称斜坡型模拟像素驱动电路及其驱动方法，属于集成电路技术领域，由数字信号锁存器、计数器、使能数字信号比较器、正斜坡信号放大器、正斜坡信号传输门、像素正寻址存储电路、正模拟显示放大器、正模拟显示传输门、负斜坡信号放大器、负斜坡信号传输门、像素负寻址存储电路、负模拟显示放大器、负模拟显示传输门、像素输出电极电路、连接的信号线以及包括双路对称四段波型斜坡信号的驱动方法组成，具备数模转换功能，且不仅将同一像素电路内寻址采样模拟信号电平的行为与显示驱动输出模拟信号电平的行为分配在不同时间段发生，从时序上避免了这两种行为之间发生冲突而导致的电信号互扰现象，而且能够交替输出一对模拟电平。
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公开(公告)号：CN112946933B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110337841.1
申请日：2021-03-30
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G09G3/36
Abstract: 配置PMOS放大器可测模拟型硅基液晶显示芯片像素电路及其驱动方法，属于集成电路技术的硅基显示芯片集成电路应用领域，由10个MOS晶体管、2个MIM电容器、1个寄生电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素电路，其达到的效果一是在每一个像素单元电路中设置了第1模拟电平线、第2模拟电平线分别与像素输出电极之间的可控制连通路径，实现了测试每一个像素输出电平的功能；二是在同一像素单元中配置共漏放大器可以避免输入信号存储MIM电容器与像素输出电极寄生电容器之间发生串扰现象；三是构成的像素单元电路，做到完全与常规2.5V～6.5V的MOS半导体芯片生产工序相匹配。
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