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公开(公告)号：CN104931812B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510245720.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种测量电光晶体电光系数的方法及装置，包括：使一束可见波段的激光依次通过起偏镜、毛玻璃、待测电光晶体、检偏镜，然后用白屏接收出射光点和由毛玻璃造成的散射光形成的干涉图样；其中起偏镜与检偏镜的偏振方向垂直，待测电光晶体上施加一个可调节的直流电压；首先通过理论分析选择合适的激光入射角(θ0，φ0)，(θ0，φ0)为入射激光传播方向与待测电光晶体各电感应主轴的夹角；测量时，先将待测电光晶体上施加的直流电压调节为OV，微调待测电光晶体与入射激光的夹角，使出射光点落在干涉图样中与入射角(θ0，φ0)对应的暗区上，然后逐渐增大直流电压，此过程中出射光点位置不变，而干涉图样将发生变化，当出射光点再次落在干涉图样的下一个紧邻暗区时，记下此时的直流电压数值U；再由理论计算可求得相应电光系数。
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公开(公告)号：CN108767650B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810616911.5
申请日：2018-06-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明公开一种功能复合电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由一块KDP类晶体或者LiNbO3晶体按照一定的设计切型制成的一种功能复合电光Q开关器件。它利用了电光晶体的自然双折射效应和电光效应，可以同时起到1/4波片和传统电光Q开关的作用，能够独立地进行加压式电光调Q。本发明的优点在于：加压式调Q时无需再使用1/4波片或者检偏镜，装调简单方便，有利于提高激光器的紧凑性和稳定性，并且降低了成本。
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公开(公告)号：CN108767650A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810616911.5
申请日：2018-06-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明公开一种功能复合电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由一块KDP类晶体或者LiNbO3晶体按照一定的设计切型制成的一种功能复合电光Q开关器件。它利用了电光晶体的自然双折射效应和电光效应，可以同时起到1/4波片和传统电光Q开关的作用，能够独立地进行加压式电光调Q。本发明的优点在于：加压式调Q时无需再使用1/4波片或者检偏镜，装调简单方便，有利于提高激光器的紧凑性和稳定性，并且降低了成本。
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公开(公告)号：CN104931812A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510245720.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种测量电光晶体电光系数的方法及装置，包括：使一束可见波段的激光依次通过起偏镜、毛玻璃、待测电光晶体、检偏镜，然后用白屏接收出射光点和由毛玻璃造成的散射光形成的干涉图样；其中起偏镜与检偏镜的偏振方向垂直，待测电光晶体上施加一个可调节的直流电压；首先通过理论分析选择合适的激光入射角(θ0，φ0)，(θ0，φ0)为入射激光传播方向与待测电光晶体各电感应主轴的夹角；测量时，先将待测电光晶体上施加的直流电压调节为OV，微调待测电光晶体与入射激光的夹角，使出射光点落在干涉图样中与入射角(θ0，φ0)对应的暗区上，然后逐渐增大直流电压，此过程中出射光点位置不变，而干涉图样将发生变化，当出射光点再次落在干涉图样的下一个紧邻暗区时，记下此时的直流电压数值U；再由理论计算可求得相应电光系数。
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