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公开(公告)号：CN110245414B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910501947.3
申请日：2019-06-11
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 西安交通大学 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F30/23
Abstract: 一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法，包括以下步骤：步骤一、通过ANSYS simpleror计算压接式IGBT模块的集电极平均电流；步骤二、在ANSYS Maxwell中计算压接式IGBT模块随温度变化的发热功率；步骤三、在ANSYS steady‑state thermal中计算压接式IGBT模块的内部温度分布；步骤四、在ANSYS steady‑state mechanical中计算压接式IGBT模块内部应力分布。本发明能够清晰地描述各物理场间的耦合关系，得到IGBT模块实际运行中内部的温度分布以及应力分布状态，从而预测出模块内部最易失效的部分。
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公开(公告)号：CN110245414A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910501947.3
申请日：2019-06-11
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 西安交通大学 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法，包括以下步骤：步骤一、通过ANSYS simpleror计算压接式IGBT模块的集电极平均电流；步骤二、在ANSYS Maxwell中计算压接式IGBT模块随温度变化的发热功率；步骤三、在ANSYS steady-state thermal中计算压接式IGBT模块的内部温度分布；步骤四、在ANSYS steady-state mechanical中计算压接式IGBT模块内部应力分布。本发明能够清晰地描述各物理场间的耦合关系，得到IGBT模块实际运行中内部的温度分布以及应力分布状态，从而预测出模块内部最易失效的部分。
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公开(公告)号：CN111090940B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201911304806.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模块压接式IGBT在工况下的损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行IGBT模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Icepak以及Simplorer对步骤二得到的IGBT模型进行Foster网络的提取；步骤四、将步骤一计算得到的损耗，导入到步骤三提取的Foster网络中，得到IGBT内部各位置的实时温度变化情况。本发明能够抓住短时间尺度下MMC子模块压接式IGBT失效的主要因素，逐步得到工况下IGBT内部温度的精确分布情况。
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公开(公告)号：CN111104741A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911303522.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F30/20 , G06F30/3308 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种MMC子模块中金属膜电容电热耦合仿真方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到金属膜电容总损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行金属膜电容模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Steady-State Thermal对金属膜电容进行电热仿真，得到MMC工况下金属膜电容内部温度分布。本发明能够抓住MMC子模块中金属膜电容的工作特点，逐步得到工况下金属膜电容内部温度的精确分布情况。
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公开(公告)号：CN111090940A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911304806.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模块压接式IGBT在工况下的损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行IGBT模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Icepak以及Simplorer对步骤二得到的IGBT模型进行Foster网络的提取；步骤四、将步骤一计算得到的损耗，导入到步骤三提取的Foster网络中，得到IGBT内部各位置的实时温度变化情况。本发明能够抓住短时间尺度下MMC子模块压接式IGBT失效的主要因素，逐步得到工况下IGBT内部温度的精确分布情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111104741B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201911303522.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: G06F30/20 , G06F30/3308 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种MMC子模块中金属膜电容电热耦合仿真方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到金属膜电容总损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行金属膜电容模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Steady‑State Thermal对金属膜电容进行电热仿真，得到MMC工况下金属膜电容内部温度分布。本发明能够抓住MMC子模块中金属膜电容的工作特点，逐步得到工况下金属膜电容内部温度的精确分布情况。
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公开(公告)号：CN211858624U
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202020943021.8
申请日：2020-05-28
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: H01L23/16 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种考虑芯片表面压力均衡的凸台式压接型IGBT模块，包括由发射极上凸台和发射极下凸台组成的发射极凸台，发射极上凸台下部设置有柱形发射极孔，发射极下凸台包括凸台本体，凸台本体上连接有与柱形发射极孔配合连接的开口销，开口销中设置有蝶形弹簧，蝶形弹簧顶部紧贴柱形槽的顶部；凸台本体下侧依次设置有发射极钼片、芯片、集电极钼片以及集电极凸台。本实用新型引入碟形弹簧，并采用开口销插接结构，实现芯片间压力均衡。
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公开(公告)号：CN211858625U
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202020943646.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/22 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种考虑芯片热应力补偿的凸台式压接型IGBT模块，包括发射级凸台，发射级凸台的内部设置有空腔，空腔的底部为金属薄层，金属薄层上设置有内凸台，且空腔中填充有液态金属，发射级凸台的下部依次设置有发射极钼片、芯片、集电极钼片以及集电极凸台。本实用新型通过在发射极凸台中内置空腔并填充液态金属，通过空腔下方金属薄层的形变实现热应力补偿，从而降低工作时芯片的热应力，提高模块寿命。
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公开(公告)号：CN116298721A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310147324.7
申请日：2023-02-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法，包括宽带光源、光纤隔离器、光纤环形器、单模3×3光纤耦合器、延迟光纤、第一单模1×2光纤耦合器、光纤传感器、第二单模1×2光纤耦合器、光功率计、第一单模光纤、第二单模光纤、第三单模光纤、第四单模光纤、第五单模光纤、第六单模光纤、光纤转接器、光纤转接器、平衡光电探测器、模拟低通滤波器、数据采集卡和上位机。本发明可以针对不同频段的局部放电信号调节光纤传感器本身的尺寸，以获得符合需求的检测信噪比；同时本发明不会受到电磁干扰的影响，可以应用在高压领域。
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公开(公告)号：CN113380879A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110572614.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/43 , H01L23/367 , H01L23/49 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装，属于半导体器件封装技术领域，解决了现有SiC功率芯片难以压接封装的问题。SiCMOSFET子模组单元包括DBC陶瓷基板、源极钼片、SiCMOSFET芯片阵列以及漏极钼片；所述源极钼片下表面对称设有N个第一凸起，所述第一凸起分别与N个SiCMOSFET芯片相连，并露出SiCMOSFET芯片的栅极和源极，所述漏极钼片上表面设置有N个用于连接和定位SiCMOSFET芯片的第二凸起，所述SiCMOSFET芯片阵列由N个SiCMOSFET芯片组成，其露出的栅极和源极连接至DBC陶瓷基板。本发明提高了模块的功率密度，增强了散热能力，提高了装置可靠性，模块内部使用硅凝胶填充提高了模块的绝缘水平，可以应用在高压领域。
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