公开(公告)号：CN109103305A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810798048.X

申请日：2018-07-19

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 王干 ,  李红喜 ,  王琳晶 ,  吴鹏阳

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明涉及一种硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法。一种硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，包括步骤：在气压小于4×10-6Pa的真空条件下，以硫化锌为蒸发源，采用分子束外延法在氮化镓单晶衬底上生长硫化锌单晶层，得到硫化锌/氮化镓异质结，其中，蒸发源的温度为840℃～865℃，氮化镓单晶衬底的温度为450℃～465℃。上述硫化锌/氮化镓异质结的制备方法制得的硫化锌/氮化镓异质结的结晶度较好，适于产业化应用。

公开(公告)号：CN109103305B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201810798048.X

申请日：2018-07-19

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 王干 ,  李红喜 ,  王琳晶 ,  吴鹏阳

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明涉及一种硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法。一种硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，包括步骤：在气压小于4×10‑6Pa的真空条件下，以硫化锌为蒸发源，采用分子束外延法在氮化镓单晶衬底上生长硫化锌单晶层，得到硫化锌/氮化镓异质结，其中，蒸发源的温度为840℃～865℃，氮化镓单晶衬底的温度为450℃～465℃。上述硫化锌/氮化镓异质结的制备方法制得的硫化锌/氮化镓异质结的结晶度较好，适于产业化应用。

公开(公告)号：CN112689609A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201880096143.3

申请日：2018-10-23

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 王干 ,  陈俊树 ,  何洪涛 ,  叶飞 ,  梅佳伟 ,  周良 ,  王琳晶

IPC: B82Y30/00 ,  H01L43/14

Abstract: 一种黑磷相超薄铋纳米片改性的复合膜及其制备方法。所述复合膜包括基体膜及插层在基体膜中的黑磷相铋纳米片。实现了黑磷相铋二维材料的大量合成及对材料物性调控的应用，为工业界利用黑磷相铋材料对磁性、半导体等材料进行物性调控提供可行的路线，拓展铋金属的应用领域。