硅-锗合金量子点的合成方法

    公开(公告)号:CN106085427B

    公开(公告)日:2018-03-02

    申请号:CN201610458805.X

    申请日:2016-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种硅‑锗合金量子点的合成方法,先把甲苯和甲醇分别进行预处理,再进行硅‑锗合金量子点的合成,利用反应生成带烷基的硅粒子溶解于正己烷中,将硅量子点转移到有机溶剂相中,从而进一步去除杂质;根据需要应用的硅量子点粒径,利用PVDF膜过滤,将需要的硅量子点与其它粒径硅量子点及杂质进一步分离;操作方法简便,所需设备简单,反应条件温和,成本较低,生产安全可靠,产品纯度高,产率高,在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面有应用价值。

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