公开(公告)号：CN119657175A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411827530.3

申请日：2024-12-12

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 张书渠 ,  赵敏 ,  黎民昊 ,  吴露霞 ,  谢志强 ,  高航 ,  杨丽霞 ,  罗胜联

IPC: B01J27/043 ,  B01J35/39 ,  B01J37/10 ,  C01G15/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明属于光催化纳米半导体材料合成技术领域，公开了一种Fe掺杂ZnIn2S4光催化剂及其制备方法与应用。本发明所述制备方法包括以下步骤：将锌源、铟源、硫源、亚铁源与水混合，进行水热反应，得到Fe掺杂ZnIn2S4光催化剂。Fe属于非贵金属，其掺杂含量属于微量；并且，水热法能够在合成条件相对温和、简单的情况下合成ZnIn2S4。本发明制得的非贵金属掺杂ZnIn2S4作为产氢的光催化剂，为解决能源短缺和环境污染提供了一种新方法，为合成绿色、经济、高效、普适性的光催化剂提供了其他可能。

公开(公告)号：CN119236972A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411389263.6

申请日：2024-09-30

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 张书渠 ,  谢志强 ,  赵敏 ,  高航 ,  罗胜联

IPC: B01J27/043 ,  B01J35/39 ,  B01J35/51 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明属于光催化纳米半导体材料合成技术领域，公开了一种表面改性ZnIn2S4光催化剂及其制备方法与应用。所述制备方法包括以下步骤：将锌源、铟源、硫代乙酰胺与水和乙醇的混合溶剂混合，进行溶剂热反应，得到具有硫空位的ZnIn2S4；在保护气氛下，将具有硫空位的ZnIn2S4、钴源溶液与水混合，进行掺杂，得到表面改性ZnIn2S4光催化剂。本发明的制备方法显著提升了催化剂的光催化产氢性能，所得表面改性ZnIn2S4光催化剂的产氢速率为ZnIn2S4的11倍，对于解决环境污染和能源短缺问题具有重大意义。

公开(公告)号：CN206849006U

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201720547655.X

申请日：2017-05-17

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 蒋小文 ,  赵敏 ,  肖佳兵 ,  蒋小武

IPC: G06F13/38

Abstract: 本实用新型公开了一种小型嵌入式U盘传输系统，主要包括电源、第一U盘读写模块、显示屏、独立键盘模块、程序下载调试口、第二U盘读写模块、串行通信接口、主控芯片组成；其特征在于：电源连接主控芯片；主控芯片的输入端分别与第一U盘读写模块、独立键盘模块相连接，主控芯片的输出端分别与显示屏、第二U盘读写模块、串行通信接口相连接；程序下载调试口安装于主控芯片的后面中间，并连接主控芯片。本实用新型的优点是：实用性强，方便携带，适用人群广，具有一定的推广价值。