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公开(公告)号：CN106972224A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710278510.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 南通大学 , 南通先进通信技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于天线的平衡式微波移相器，该移相器包括延迟线单元和参考线单元，参考线单元包括置于一对平衡式输入端口和输出端口之间的一对耦合线；延迟线单元包括置于另一对平衡式输入端口和输出端口之间的一对耦合线，且延迟线单元中的耦合线中间位置加载有半波长传输线。本发明首次提出了具有共模抑制的平衡式微波移相器，相比于现有的单端移相器，该移相器用于平衡式系统或天线时，可以与其它平衡式电路直接对接，避免另加多个平衡到不平衡的转换器件‑巴伦；相比于现有的平衡式移相器，本发明不仅实现了差分信号在一定频率范围内的稳定移相，而且具有共模信号抑制的功能，抗干扰能力更强。
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公开(公告)号：CN104032372B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410271430.7
申请日：2014-06-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/VO2复合纳米材料及其制备方法。所述材料依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO2多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2oC，具有可逆的金属—绝缘相变特性。该材料的制备首先以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶四角棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，在氧气占8%~11%的氮氧混合气环境下，在ZnO纳米材料表面沉积多晶VO2薄膜；最后移除模板得到图形化VO2/ZnO复合相变材料。优点是，该方法制得的VO2纳米结构形貌丰富，具有VO2的金属—半导体相变特性，又结合了ZnO的宽禁带半导体的特性，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101711999A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910211063.0
申请日：2009-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种气墙密封式双正压净化工作台，包括进气系统，进气系统下方设置导流分压区，导流分压区底部为散流板，散流板下设置工作腔体，工作腔体与抽气系统相通，导流分压区的高度为40～60mm，在导流分压区中设置导流分压板，导流分压板呈斜向设置在导流分压区中，将导流分压区分隔成前后两个截面呈梯形的区域，且前面一个截面呈梯形的区域呈进气端大、出气端小的形式，后面一个截面呈梯形的区域呈进气端小、出气端大的形式。本发明结构合理，可有效保证工作腔体的洁净度和操作人员的安全。
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公开(公告)号：CN109560128B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201811320069.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。
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公开(公告)号：CN103326695B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310245583.X
申请日：2013-06-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉一种含MEMS开关的可重构匹配网络匹配器，包括六个MEMS桥单元、地线、信号线以及六个偏压垫，所述第地线、信号线依次平行设置于衬底上，所述六个MEMS桥单元依次垂直于所述两地线排列于衬底上，所述每个MEMS桥单元包括两个悬臂梁桥膜、一个支撑梁桥膜以及四个桥墩。其有益效果为：硅片上的MEMS开关替代传统的PIN开关二极管、变容二极管或FET等开关器件实现滤波器的频率重构；共面波导传输线替代了传统的PCB板上的共面波导传输线；结构紧凑简单、尺寸微小、控制电路功耗低、工作频率高；可与传统的IC工艺兼容，工艺成熟，成本低廉，适合于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103801285B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410045544.X
申请日：2014-02-08
Applicant: 南通大学
IPC: B01J23/22 , B01J35/02 , A62D3/17 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A62D101/26 , A62D101/28
Abstract: 本发明涉及一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法。所述材料以ZnO的棒状单晶体为核，包覆V2O5多晶壳层。其制备方法包括：采用热蒸发方法，以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，氮气保护下，在以棒状ZnO纳米材料表面沉积V2O5的前驱体；最后将包覆后的材料通过热氧化的形成V2O5@ZnO核壳结构光催化材料。本发明的核壳光催化材料形貌可控，重复性强，材料结构稳定，光催化效果好，本发明方法工艺简单，适合大规模工业生产，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104032372A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410271430.7
申请日：2014-06-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/VO2复合纳米材料及其制备方法。所述材料依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO2多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2oC，具有可逆的金属—绝缘相变特性。该材料的制备首先以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶四角棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，在氧气占8%~11%的氮氧混合气环境下，在ZnO纳米材料表面沉积多晶VO2薄膜；最后移除模板得到图形化VO2/ZnO复合相变材料。优点是，该方法制得的VO2纳米结构形貌丰富，具有VO2的金属—半导体相变特性，又结合了ZnO的宽禁带半导体的特性，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113745776A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111041981.0
申请日：2021-09-07
Applicant: 南通大学 , 南通先进通信技术研究院有限公司
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明公开了一种平衡式基片集成波导移相器，包括结构相同的主线结构和参考线结构，主线结构或参考线结构均包括：金属地、单层介质基片以及顶层矩形金属，顶层矩形金属中央开有平行槽，平行槽的走向与顶层矩形金属长边方向一致，顶层矩形金属的两条短边分别设有一排连接金属地的金属化过孔，顶层矩形金属的两条长边分别连接有一对馈线，分别作为平衡式输入端口和平衡式输出端口。通过基片集成波导的宽边尺寸使基片集成波导的工作频率位于TE20和TE30模的截止频率之间，进而实现同时具有宽带差模移相和宽带共模抑制的平衡式基片集成波导移相器，且具有移相范围大、尺寸小和结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN106972224B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710278510.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 南通大学 , 南通先进通信技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于天线的平衡式微波移相器，该移相器包括延迟线单元和参考线单元，参考线单元包括置于一对平衡式输入端口和输出端口之间的一对耦合线；延迟线单元包括置于另一对平衡式输入端口和输出端口之间的一对耦合线，且延迟线单元中的耦合线中间位置加载有半波长传输线。本发明首次提出了具有共模抑制的平衡式微波移相器，相比于现有的单端移相器，该移相器用于平衡式系统或天线时，可以与其它平衡式电路直接对接，避免另加多个平衡到不平衡的转换器件‑巴伦；相比于现有的平衡式移相器，本发明不仅实现了差分信号在一定频率范围内的稳定移相，而且具有共模信号抑制的功能，抗干扰能力更强。
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公开(公告)号：CN109560128A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811320069.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管，包括连接于栅电极、源电极和漏电极之间的：源区、沟道区和漏区，源区和所述漏区之间被沟道区隔离开，源电极为欧姆接触电极并与源区形成欧姆接触，漏电极为欧姆接触电极并与漏区形成欧姆接触；其中，晶体管还包括浮空设置的金属材料的第一肖特基电极，所述第一肖特基电极与所述源区形成肖特基接触，且所述第一肖特基电极设置于靠近所述源区和沟道区之间的接触面的位置，本发明在传统的TFET器件基础上设计由肖特基电极和源电极构成的新型源电极结构，其中的高功函数金属材料的浮空肖特基接触电极，可以有效地抬升肖特基接触电极下的能带，增大源区价带和沟道区导带之间的能带重叠区，减小隧穿距离，提高开态电流。
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