公开(公告)号：CN101866838B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010179872.0

申请日：2010-05-24

Applicant: 南通大学

Inventor： 花国然 ,  王强 ,  戴丽娟 ,  张华 ,  罗辰 ,  顾江 ,  陈宏

IPC: H01L21/268

Abstract: 本发明涉及一种应用长波脉冲激光技术进行非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法。首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与加热时间的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。本发明通过调整脉冲的占空比，来控制薄膜中晶粒的生长；本发明方法不仅可应用于硅的可控外延生长，也可应用于ZnO等材料的快速可控外延生长；应用本发明方法生长的薄膜不仅可应用于太阳能行业，也可应用于集成电路和电子元器件的制造。

公开(公告)号：CN101866838A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010179872.0

申请日：2010-05-24

Applicant: 南通大学

Inventor： 花国然 ,  王强 ,  张华 ,  罗辰 ,  顾江 ,  陈宏

IPC: H01L21/268

Abstract: 本发明涉及一种应用长波脉冲激光技术进行非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法。首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与加热时间的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。本发明通过调整脉冲的占空比，来控制薄膜中晶粒的生长；本发明方法不仅可应用于硅的可控外延生长，也可应用于ZnO等材料的快速可控外延生长；应用本发明方法生长的薄膜不仅可应用于太阳能行业，也可应用于集成电路和电子元器件的制造。