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公开(公告)号：CN114703526B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210632100.0
申请日：2022-06-07
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
Abstract: 本发明涉及汽车电子用高比容低压电极箔的制备方法，包括以下步骤：首先对腐蚀箔依序执行一级化成、二级化成、三级化成以及四级化成操作，且单次化成执行中均分别对所用电压、温度、时间以及化成液组分、配比进行调整，且一级化成时加入胺类处理液，以大幅度地提升成型氧化膜中氧化铝结晶的含量，随后，将化成箔多次浸于磷酸盐溶液中执行后处理操作，以对成型氧化膜上残存的瑕疵点进行修复。如此一来，不但可有效地提升电极箔的水煮寿命，而且还为铝电极箔电比容的大幅度提升了作良好的铺垫。
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公开(公告)号：CN114703526A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210632100.0
申请日：2022-06-07
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
Abstract: 本发明涉及汽车电子用高比容低压电极箔的制备方法，包括以下步骤：首先对腐蚀箔依序执行一级化成、二级化成、三级化成以及四级化成操作，且单次化成执行中均分别对所用电压、温度、时间以及化成液组分、配比进行调整，且一级化成时加入胺类处理液，以大幅度地提升成型氧化膜中氧化铝结晶的含量，随后，将化成箔多次浸于磷酸盐溶液中执行后处理操作，以对成型氧化膜上残存的瑕疵点进行修复。如此一来，不但可有效地提升电极箔的水煮寿命，而且还为铝电极箔电比容的大幅度提升了作良好的铺垫。
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公开(公告)号：CN119170417B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411659057.2
申请日：2024-11-20
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
IPC: H01G9/055 , C25D11/16 , C25D11/20 , C25D11/12 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/36 , H01G9/14 , H01G9/045
Abstract: 本发明涉及铝电解电容器电极箔制造技术领域，具体涉及一种低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔的制备方法。本发明的低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔的制备方法，包括以下步骤：（1）酸洗、（2）第一次脉冲处理、（3）化成处理、（4）热处理、（5）第二次脉冲清洗、（6）化成修补处理、（7）钝化。本发明的低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔，通过脉冲激光清洗将腐蚀箔表面在空气中生成的水合氧化铝膜和在化成过程中生产的水合氧化铝膜去除，并且在化成修补液中进行氧化膜修补，促进高结晶度阳极氧化膜的形成，降低了缺陷，提升了致密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118835293A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411332772.5
申请日：2024-09-24
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
Abstract: 本发明涉及化成箔技术领域，具体涉及一种低压腐蚀箔化成工艺。本发明的低压腐蚀箔化成工艺，包括以下步骤：一次化成处理、钝化处理、二次化成处理、钝化处理、热处理、三次化成处理、水洗、干燥。通过本发明的化成工艺得到的铝箔，在保证了铝箔容量及电压处于正常水平的同时，也使得铝箔的耐水合性能得到提升，进一步减少了水分渗透，降低了漏电流，延长了使用寿命，在信息电子设备、仪表设备、机电设备及家用电子产品中能够得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN119170417A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411659057.2
申请日：2024-11-20
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
IPC: H01G9/055 , C25D11/16 , C25D11/20 , C25D11/12 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/36 , H01G9/14 , H01G9/045
Abstract: 本发明涉及铝电解电容器电极箔制造技术领域，具体涉及一种低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔的制备方法。本发明的低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔的制备方法，包括以下步骤：（1）酸洗、（2）第一次脉冲处理、（3）化成处理、（4）热处理、（5）第二次脉冲清洗、（6）化成修补处理、（7）钝化。本发明的低缺陷高容量铝电解电容器用电极箔，通过脉冲激光清洗将腐蚀箔表面在空气中生成的水合氧化铝膜和在化成过程中生产的水合氧化铝膜去除，并且在化成修补液中进行氧化膜修补，促进高结晶度阳极氧化膜的形成，降低了缺陷，提升了致密度。
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公开(公告)号：CN119145019A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411659058.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
Abstract: 本发明涉及化成箔技术领域，具体涉及一种降低水合后升压时间的低压化成方法。本发明的降低水合后升压时间的低压化成方法，包括六级化成、磷酸处理、后一处理、磷酸处理、后二处理、磷酸处理、热处理、后三处理，通过本发明的化成方法得到的阳极氧化铝箔，无论是容量还是耐水合性能均得到提升，实现了一小时水合处理后升压时间较原工艺降低60%左右，六小时处理后升压时间较原工艺降低40%左右，实现耐水合性能的大幅提升。
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公开(公告)号：CN118835293B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411332772.5
申请日：2024-09-24
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
Abstract: 本发明涉及化成箔技术领域，具体涉及一种低压腐蚀箔化成工艺。本发明的低压腐蚀箔化成工艺，包括以下步骤：一次化成处理、钝化处理、二次化成处理、钝化处理、热处理、三次化成处理、水洗、干燥。通过本发明的化成工艺得到的铝箔，在保证了铝箔容量及电压处于正常水平的同时，也使得铝箔的耐水合性能得到提升，进一步减少了水分渗透，降低了漏电流，延长了使用寿命，在信息电子设备、仪表设备、机电设备及家用电子产品中能够得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN119145019B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411659058.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
Abstract: 本发明涉及化成箔技术领域，具体涉及一种降低水合后升压时间的低压化成方法。本发明的降低水合后升压时间的低压化成方法，包括六级化成、磷酸处理、后一处理、磷酸处理、后二处理、磷酸处理、热处理、后三处理，通过本发明的化成方法得到的阳极氧化铝箔，无论是容量还是耐水合性能均得到提升，实现了一小时水合处理后升压时间较原工艺降低60%左右，六小时处理后升压时间较原工艺降低40%左右，实现耐水合性能的大幅提升。
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