公开(公告)号：CN113410110B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202110513830.4

申请日：2021-05-07

Applicant: 南通职业大学

Inventor： 沈志华 ,  李巧宁 ,  葛滨 ,  董新奕 ,  姜林林

IPC: H01J21/04 ,  H01J19/24 ,  H01J9/12 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体真空二极管，由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成，电极A为功函数较低的金属材质，介电体中间具有一个贯通的真空通道，电极B为重掺杂半导体材质；使用时，电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定，激发电子较多电流较大，对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。

公开(公告)号：CN113410110A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110513830.4

申请日：2021-05-07

Applicant: 南通职业大学

Inventor： 沈志华 ,  李巧宁 ,  葛滨 ,  董新奕 ,  姜林林

IPC: H01J21/04 ,  H01J19/24 ,  H01J9/12 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体真空二极管，由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成，电极A为功函数较低的金属材质，介电体中间具有一个贯通的真空通道，电极B为重掺杂半导体材质；使用时，电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定，激发电子较多电流较大，对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。