公开(公告)号：CN114420841B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202210040989.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  田应宇 ,  陈李珏 ,  刘天硕 ,  张浩

IPC: H10K10/50 ,  H10K85/30 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明涉及一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法，包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。

公开(公告)号：CN114420841A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210040989.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  田应宇 ,  陈李珏 ,  刘天硕 ,  张浩

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法，包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。