公开(公告)号：CN102790121B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210283318.6

申请日：2012-08-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  李欣 ,  刘蕊 ,  刘晶晶 ,  孙钦钦

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层；第一结Ge子电池构建在Ge衬底上，Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区，第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接，第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接，第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接，接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池，实现电池的电流匹配和晶格匹配，解决电流不匹配的问题，还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。

公开(公告)号：CN102779865B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210282587.0

申请日：2012-08-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  李欣 ,  刘蕊 ,  刘晶晶 ,  孙钦钦

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0687

CPC classification number: Y02E10/544

Abstract: 一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，涉及一种太阳能电池。设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层，所述Si底电池构建在P型Si衬底上，Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池，AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池，接触层设于InGaP顶电池上。Ge隧穿结将Si与GaAs之间形成失配位错和反相畴的区域有效分割，解决了Si底电池与Ⅲ-Ⅴ族子电池间的串联、晶格匹配以及反相畴问题，有利于提高电池外延的晶体质量和电池转换效率。

公开(公告)号：CN102790121A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210283318.6

申请日：2012-08-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  李欣 ,  刘蕊 ,  刘晶晶 ,  孙钦钦

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层；第一结Ge子电池构建在Ge衬底上，Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区，第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接，第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接，第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接，接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池，实现电池的电流匹配和晶格匹配，解决电流不匹配的问题，还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。

公开(公告)号：CN102779865A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210282587.0

申请日：2012-08-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  李欣 ,  刘蕊 ,  刘晶晶 ,  孙钦钦

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0687

CPC classification number: Y02E10/544

Abstract: 一种以锗为隧穿结的硅基三结太阳能电池，涉及一种太阳能电池。设有Si底电池、Ge隧穿结、GaAs中间电池、AlGaAs/InGaP隧穿结、InGaP顶电池和接触层，所述Si底电池构建在P型Si衬底上，Ge隧穿结连接Si底电池与GaAs中间电池，AlGaAs/InGaP隧穿结连接GaAs中间电池与InGaP顶电池，接触层设于InGaP顶电池上。Ge隧穿结将Si与GaAs之间形成失配位错和反相畴的区域有效分割，解决了Si底电池与Ⅲ-Ⅴ族子电池间的串联、晶格匹配以及反相畴问题，有利于提高电池外延的晶体质量和电池转换效率。