公开(公告)号：CN108231953A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711482215.1

申请日：2017-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林鼎渠 ,  吴正云 ,  洪荣墩 ,  孙存志 ,  张志威

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。

公开(公告)号：CN108231919A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711495476.7

申请日：2017-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  吴正云 ,  林鼎渠 ,  张志威 ,  孙存志

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/107 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02363

Abstract: 一种具有石墨烯透明电极的碳化硅雪崩光电探测器，涉及半导体光电探测器。设有衬底，在衬底上依次设有同质的第一N型外延缓冲层、N‑型外延吸收层、第二N型外延倍增层和P+型欧姆接触层；在P+型欧姆接触层表面通过电热分解法生长的多层石墨烯透明电极层，采用光刻掩膜技术和ICP刻蚀工艺刻蚀一高度从石墨烯层表面到第一N型外延缓冲层表面，使得P+型欧姆接触层、第二N型外延倍增层和N‑型外延吸收层为圆台，通过等离子体增强化学气相沉积法生长一致密的SiOx/Si3N4保护钝化层。在N+型衬底的背面溅射N型欧姆接触电极，并在SiOx/Si3N4保护钝化层上通过光刻工艺刻蚀出焊盘窗口并制备石墨烯透明电极层的焊盘。

公开(公告)号：CN108231953B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201711482215.1

申请日：2017-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林鼎渠 ,  吴正云 ,  洪荣墩 ,  孙存志 ,  张志威

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。