公开(公告)号：CN114121596B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202010873491.6

申请日：2020-08-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  陈泽凯 ,  李亚平 ,  张碧雯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67

Abstract: 一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。

公开(公告)号：CN114121596A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010873491.6

申请日：2020-08-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  陈泽凯 ,  李亚平 ,  张碧雯 ,  康俊勇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67

Abstract: 一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。