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公开(公告)号：CN101030609A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710008793.1
申请日：2007-04-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H－SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n+型4H－SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n+型缓冲层、超低掺杂n－型层、δ掺杂n型层、低掺杂n－型层和高掺杂p+型层，超低掺杂n－型层、δ掺杂n型层和低掺杂n－型层共同构成有源层；设有至少3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n+型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。
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公开(公告)号：CN100514680C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710008793.1
申请日：2007-04-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n+型4H-SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n+型缓冲层、超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层、低掺杂n-型层和高掺杂p+型层，超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层和低掺杂n-型层共同构成有源层；设有3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n+型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。
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公开(公告)号：CN101000936A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610135372.0
申请日：2006-12-23
Applicant: 厦门大学 , 厦门三优光机电科技开发有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: δ掺杂4H－SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂SiC PIN结构紫外光电探测器及制法。在n+型SiC衬底上外延生长n+型缓冲层、n－型层l、δ掺杂n型层、n－型层ll和p+型层，器件表面设钝化膜，在p+型层上设p电极，衬底背面设n电极。衬底用n+型4H－SiC衬底或其同质多型体。制备时刻蚀出外延片台面作为光敏面；热氧化生长氧化层作为钝化膜；在p+型层上制备p型电极；甩上光刻胶保护外延片p+型层上氧化层，去除n+型衬底上氧化层并沉积n型电极金属；将p型电极和n型电极退火形成欧姆接触；制备压焊区覆盖于p型欧姆接触电极一角；管芯划片压焊封装成管。
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公开(公告)号：CN1988185A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610135353.8
申请日：2006-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有n+型4H－SiC衬底，在n+型4H－SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层，器件表面设钝化膜，外延层上设p电极，p电极上设焊盘，衬底背面设n电极。制备时外延片标准清洗，制备所有台面，再制备氧化层，氧化层作为芯片的钝化层；光刻p电极区，腐蚀掉电极图形处的氧化层，溅射Ti/Al/Au作为p电极接触金属，衬底背面形成n型欧姆接触。
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公开(公告)号：CN100463232C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610135353.8
申请日：2006-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可以直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法。光电探测器设有n+型4H-SiC衬底，在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层，器件表面设钝化膜，外延层上设p电极，p电极上设焊盘，衬底背面设n电极。制备时外延片标准清洗，制备所有台面，再制备氧化层，氧化层作为芯片的钝化层；光刻p电极区，腐蚀掉电极图形处的氧化层，溅射Ti/Al/Au作为p电极接触金属，衬底背面形成n型欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100447583C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710008768.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法，涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n+型4H-SiC衬底，在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长SiO2层和Al2O3层，SiO2层厚度为d1＝λ/2n1，Al2O3层厚度为d2＝λ/4n2，λ为光波长，n1、n2为SiO2、Al2O3的折射率。制备时，清洗衬底；将蒸发源和衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体；封闭蒸发腔腔体，抽真空，真空度至少3.0×10-3Pa；预熔蒸发源，同时通氧气，用电子束轰击蒸发源进行镀膜；对蒸发腔放气降温至室温，取出样品。
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公开(公告)号：CN100438083C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610135372.0
申请日：2006-12-23
Applicant: 厦门大学 , 厦门三优光机电科技开发有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: δ掺杂4H-SiC PIN结构紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种半导体光电探测器。提供一种δ掺杂SiC PIN结构紫外光电探测器及制法。在n+型SiC衬底上外延生长n+型缓冲层、n-型层I、δ掺杂n型层、n-型层II和p+型层，器件表面设钝化膜，在p+型层上设p电极，衬底背面设n电极。衬底用n+型4H-SiC衬底或其同质多型体。制备时刻蚀出外延片台面作为光敏面；热氧化生长氧化层作为钝化膜；在p+型层上制备p型电极；甩上光刻胶保护外延片p+型层上氧化层，去除n+型衬底上氧化层并沉积n型电极金属；将p型电极和n型电极退火形成欧姆接触；制备压焊区覆盖于p型欧姆接触电极一角；管芯划片压焊封装成管。
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公开(公告)号：CN101055320A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710008768.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法，涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n+型4H－SiC衬底，在n+型4H－SiC衬底上从下到上依次生长SiO2层和Al2O3层，SiO2层厚度为d1＝入/2n1，Al2O3层厚度为d2＝入/4n2，入为光波长，n1、n2为SiO2、Al2O3的折射率。制备时，清洗衬底；将蒸发源和衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体；封闭蒸发腔腔体，抽真空，真空度至少3.0×10－3Pa；预熔蒸发源，同时通氧气，用电子束轰击蒸发源进行镀膜；对蒸发腔放气降温至室温，取出样品。
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公开(公告)号：CN201000897Y
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200620156550.3
申请日：2006-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 4H－SiC雪崩光电探测器，涉及一种光电探测器。提供一种在低击穿电压下具有高的内部增益，对可见光与红外光不敏感，可直接对紫外光、微弱信号和单光子信号进行检测的4H－SiC雪崩光电探测器。设有n+型4H－SiC衬底，衬底上从下到上生长n型外延吸收层、n型外延倍增层和p+外延层，吸收层为非故意掺杂的本征层或掺杂浓度1×1015/cm3～1×1016/cm3的轻掺杂层；倍增层掺杂浓度1×1016/cm3～1×1018/cm3，厚度为0.05～0.5μm；p+外延层掺杂浓度至少为1×1018/cm3，厚度为0.1～0.5μm。器件表面为钝化膜，在p+外延层上设p电极，p电极上设焊盘，衬底背面设n电极。
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公开(公告)号：CN201032635Y
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200620156586.1
申请日：2006-12-23
Applicant: 厦门三优光机电科技开发有限公司厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224
Abstract: 一种PIN结构4H－SiC紫外光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种探测波长为200～400nm的SiC PIN紫外光电探测器。提供一种可用于在很强的可见及红外光背景下检测紫外信号的碳化硅(SiC)PIN结构紫外光电探测器。设有n+型衬底，在n+型衬底上依次外延生长n型层、n－型层和p+型层，n+型衬底背面为n型欧姆接触电极，采用干法刻蚀工艺刻蚀一高度从表面p+型层到达n型层的器件隔离台阶，隔离台阶和p+型层表面覆盖氧化层，在p+型层表面的p型接触电极窗口处沉积p型欧姆接触电极，p型欧姆接触电极上一角覆盖金属Ti/Au层作为焊盘，覆盖氧化层的台面为器件的光敏面。
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