公开(公告)号：CN106378583B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610822937.6

申请日：2016-09-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张志昊 ,  李明雨 ,  操慧珺 ,  杨海峰

IPC: B23P15/00 ,  B23K26/38 ,  C21D9/00 ,  C23G5/032 ,  C23G1/10 ,  H01L21/48 ,  B32B15/01 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B37/10 ,  B21D28/34

Abstract: 一种高温封装用Sn/Cu/Sn冷压预制片的制备方法，涉及半导体器件封装互连。包括以下步骤：1)一个制备Sn/Cu/Sn冷压金属箔的步骤；2)一个加工Sn/Cu/Sn冷压预制片的步骤；3)一个Sn/Cu/Sn冷压预制片与Cu基焊盘冶金互连的步骤。原材料价格低廉、加工工艺简单、对设备要求低、方便存储运输、材料加工性好、便于批量制造。可短时间内在低温下形成耐高温无铅焊点，完全避免了高温、长时间的回流过程对芯片可靠性造成的不利影响及对能源的浪费。互连原理简单、对准精度高、互连缺陷少；可解决高温半导体器件中大互连间隙无铅耐高温焊点难以快速制造的技术瓶颈。

公开(公告)号：CN106378583A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610822937.6

申请日：2016-09-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张志昊 ,  李明雨 ,  操慧珺 ,  杨海峰

IPC: B23P15/00 ,  B23K26/38 ,  C21D9/00 ,  C23G5/032 ,  C23G1/10 ,  H01L21/48 ,  B32B15/01 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B37/10 ,  B21D28/34

CPC classification number: B23P15/00 ,  B21D28/34 ,  B23K26/38 ,  B32B15/01 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B37/10 ,  C21D9/0068 ,  C23G1/10 ,  C23G1/103 ,  C23G5/032 ,  H01L21/4842

Abstract: 一种高温封装用Sn/Cu/Sn冷压预制片的制备方法，涉及半导体器件封装互连。包括以下步骤：1)一个制备Sn/Cu/Sn冷压金属箔的步骤；2)一个加工Sn/Cu/Sn冷压预制片的步骤；3)一个Sn/Cu/Sn冷压预制片与Cu基焊盘冶金互连的步骤。原材料价格低廉、加工工艺简单、对设备要求低、方便存储运输、材料加工性好、便于批量制造。可短时间内在低温下形成耐高温无铅焊点，完全避免了高温、长时间的回流过程对芯片可靠性造成的不利影响及对能源的浪费。互连原理简单、对准精度高、互连缺陷少；可解决高温半导体器件中大互连间隙无铅耐高温焊点难以快速制造的技术瓶颈。