公开(公告)号：CN103000713A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210566276.7

申请日：2012-12-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 岳光辉 ,  林友道 ,  彭栋梁 ,  陈远志 ,  文鑫 ,  郭惠章 ,  王来森

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种同质结SnS纳米线太阳能电池，涉及太阳能电池。设有透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层，所述透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层依次相叠。采用SnS纳米线阵列，通过参杂P或B的方法形成p-SnS与n-SnS构成的同质结纳米线；在SnS的空隙中填入PMMA作为绝缘层，通过丙酮的清洗使得SnS纳米线的尖端部分露出并作为引出电极，在样品表面镀上一层透明氧化铟锡导电薄膜层作为引出电极；在SnS露出的部分沉积上Ti/Al成为接触电极；在两面的引出电极上引出外接线，即得。具有较强光吸收能力和较高光电转换效率。