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公开(公告)号：CN117637851A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311810328.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 抗单粒子辐射SiC UMOSFET器件结构及其制造，在SiC衬底上生长漂移层和部分传输层，在传输层中用ICP刻蚀出周期性排列沟槽并通过外延回填形成四个等间距p型埋层，再通过多外延生长得到埋层上方传输层区域，在传输层表面外延生长p型基区层，通过高能离子注入形成n+源区和p+源区，然后采用ICP刻蚀栅极沟槽，在沟槽底部通过多次高能离子注入形成p屏蔽层，表面上利用物理或化学气相法生长形成栅介质Al2O3。由于p型埋层的存在，提高了器件抗单粒子烧毁能力，由于Al2O3介电常数大于传统的栅氧化物SiO2，单粒子轰击过程中有效降低栅极氧化物电场峰值，提高了器件抗单粒子栅穿能力。
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