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公开(公告)号：CN117544126A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311481400.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H03H9/02 , H03H3/02 , H10N30/082
Abstract: 本发明属于薄膜体声波谐振器制备技术领域，具体公开了一种利用键合倒装工艺优化薄膜体声波谐振器性能的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积压电层；在压电层上溅射生长底电极层，并通过光刻和刻蚀图形化底电极层；生长键合层，并对键合层进行抛光；将刻蚀出凹槽的基板与抛光过的键合层直接键合形成空腔，然后将器件倒装，利用化学机械抛光配合刻蚀工艺去除原衬底；通过光刻和刻蚀图形化压电层，露出部分底电极后再沉积顶电极层；对顶电极层进行光刻图形化，顶电极层和底电极层相对，顶电极层、压电层和底电极层形成三明治结构，即得薄膜体声波谐振器。本发明的方法避免了目前商用空气隙型薄膜体声波谐振器在牺牲层去除过程中腐蚀液对器件的其他结构造成腐蚀，同时避免空腔在释放过程中的应力变化破坏器件结构。
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