一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器

    公开(公告)号:CN111635227B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202010598548.6

    申请日:2020-06-28

    Abstract: 本发明提供一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器,涉及陶瓷介质材料领域。本发明材料包括质量分数为93~98%的主晶相成分和2~7%的改性添加物,主晶相成分为(CaxSr1‑xMna)ZryTizO3,0.2≤x≤0.4,1.02≤y≤1.08,0.02≤z≤0.06,0.02≤a≤0.06,改性添加物选自Nb2O5、MnCO3、BaCO3、Al2O3、ZnO、SiO2、Mg(OH)2中的三种或以上。将钙、锶及锰各自的氧化物或碳酸盐、二氧化锆、二氧化钛加水球磨、干燥、1130℃~1200℃煅烧2~4h,得到主晶相成分,再加改性添加物、加水球磨、干燥得高频陶瓷介质材料。该材料具有良好的介电性能,能够在还原气氛中以较低的1160±20℃烧结,制得多层陶瓷电容器,介电常数29~35,符合COG特性要求及多层陶瓷电容器高性能、贱金属化发展趋势的要求。

    一种具有高品质因数低介电常数的陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111302775B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202010242917.8

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 本发明提供一种具有高品质因数低介电常数的陶瓷材料,涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料包括主材及改性添加物。其中,主材包括MgAl2O4、CaSiO3和CaTiO3。按质量计算,MgAl2O4:CaSiO3:CaTiO3=(55~75):(20~40):(1~30)。改性添加物选自BaCO3、MnCO3、MnO2、La2O3、ZnO、Sb2O3中的一种或几种。本发明的陶瓷介质材料是一种无铅环保型材料,采用固相合成方法分别合成MgAl2O4、CaSiO3和CaTiO3,并将这三种化合物混合作为主材,结合了它们的微波介电性质,并掺杂改性添加物,经过合理设计配方,优化合成工艺,利用该材料制成的电子陶瓷器件可在1500~1540℃的温度范围内烧结成瓷,其介电常数ε介于5~8之间,品质因数Qf值≥70000GHz,温度系数τf(‑40~85℃):±10ppm/℃。本发明制备的陶瓷材料均匀性好,满足微波器件的高性能要求。

    一种具有高Qf值低介电常数的陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111302788B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202010242928.6

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 本发明提供一种具有高Qf值低介电常数的陶瓷材料及其制备方法,涉及信息功能材料领域。该陶瓷材料由主晶相及改性添加物组成。主晶相包括MgTiO3、以及掺杂的Ca的氧化物或酸盐以及Si的氧化物或酸盐。改性添加物选自BaCO3、CaCO3、MnCO3、MnO2、Zn3(B2O6)、La2O3、Co3O4、Al2O3中的一种或几种。该陶瓷材料是一种无铅环保型材料。在采用固相法将Mg(OH)2和TiO2合成MgTiO3时,同时掺杂入Ca的氧化物或酸盐以及Si的氧化物或酸盐,以此作为主晶相,制备出平均粒径为500~700nm的陶瓷材料粉体。利用该粉体制成的电子陶瓷器件可在1260~1300℃的温度范围内成瓷,其介电常数ε介于10~14之间,介电常数温度系数τf(‑40~85℃):±10ppm/℃,品质因数Qf≥100000GHz。该材料均匀性好,满足毫米波器件的制作要求。

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