公开(公告)号：CN104698661A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510127546.8

申请日：2015-03-23

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 王硕宏 ,  杜振源 ,  陈惠军 ,  简逸朋 ,  陈柏仁 ,  张家铭 ,  林俊男

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/40

Abstract: 一种显示面板及其的制造方法，此方法包括在一第一基板上形成一图案化金属材料层，并对图案化金属材料层进行一氧化程序，以形成一图案化金属层以及覆盖图案化金属层的一金属氧化物层，其中图案化金属层包括一上表面以及位于上表面两侧的侧表面，金属氧化物层覆盖图案化金属层的上表面以及侧表面。在第一基板上形成多个像素结构，且像素结构与图案化金属层电性连接。在第一基板的对向设置一第二基板，且于第一基板与第二基板之间形成一显示介质。本发明的显示面板相较于传统的显示面板来说可以达到更高的像素开口率并能减少一道光掩模工艺，且同时具有降低工艺复杂度以及工艺成本的优点。

公开(公告)号：CN101771072A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010118239.0

申请日：2010-02-23

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈柏林 ,  林瑜旻 ,  林致远 ,  陈惠军 ,  林俊男 ,  蔡文庆

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明是关于一种主动元件阵列基板及其制作方法，主动元件阵列基板包括基材及至少一图案化多层金属层。图案化多层金属层配置于基材上，其中图案化多层金属层至少包括铜层。图案化多层金属层是以蚀刻液蚀刻而成，蚀刻液包括氧化剂、酸碱值调整剂与金属离子螯合剂。图案化多层金属层在垂直基材的剖面是梯形，且梯形的底角小于60°。

公开(公告)号：CN112382623A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011268344.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杜振源 ,  陈惠军 ,  林岱佐

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明提供一种电子装置的线路。电子装置的线路形成于基板上，并包括缓冲层、导电层与修饰层。缓冲层形成于基板上。导电层形成于缓冲层上，其中导电层的电阻率小于缓冲层的电阻率。修饰层形成于基板上，并覆盖导电层的上表面与侧边，其中修饰层的标准还原电位大于缓冲层与导电层其中至少一个的标准还原电位。

公开(公告)号：CN102157387B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110026750.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 高逸群 ,  陈惠军 ,  林俊男 ,  吴淑芬

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/027 ,  H01L21/465 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体材料层、导电层及图案化光阻层。图案化光阻层包括二个第一部及连接于第一部之间的第二部，第一部的厚度大于第二部的厚度。以图案化光阻层为掩膜，移除未被图案化光阻层覆盖的导电层与氧化物半导体材料层，以形成氧化物半导体通道层及位于氧化物半导体通道层与图案化光阻层之间的图案化导电层。移除部分图案化光阻层，以减少第一部的厚度直到第二部被移除。以未被移除的第一部为掩膜，移除未被第一部覆盖的图案化导电层，以于氧化物半导体通道层上形成源极与漏极。

公开(公告)号：CN112382623B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202011268344.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 杜振源 ,  陈惠军 ,  林岱佐

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明提供一种电子装置的线路。电子装置的线路形成于基板上，并包括缓冲层、导电层与修饰层。缓冲层形成于基板上。导电层形成于缓冲层上，其中导电层的电阻率小于缓冲层的电阻率。修饰层形成于基板上，并覆盖导电层的上表面与侧边，其中修饰层的标准还原电位大于缓冲层与导电层其中至少一个的标准还原电位。

公开(公告)号：CN102157387A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110026750.2

申请日：2011-01-20

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 高逸群 ,  陈惠军 ,  林俊男 ,  吴淑芬

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/027 ,  H01L21/465 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体材料层、导电层及图案化光阻层。图案化光阻层包括二个第一部及连接于第一部之间的第二部，第一部的厚度大于第二部的厚度。以图案化光阻层为掩膜，移除未被图案化光阻层覆盖的导电层与氧化物半导体材料层，以形成氧化物半导体通道层及位于氧化物半导体通道层与图案化光阻层之间的图案化导电层。移除部分图案化光阻层，以减少第一部的厚度直到第二部被移除。以未被移除的第一部为掩膜，移除未被第一部覆盖的图案化导电层，以于氧化物半导体通道层上形成源极与漏极。